供应 场效应管 IRFS654B,IRFS654A,IRFS654
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IRFS654B,N,MOS,220F,250V,21A | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:IRFS654B
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.14
漏极电流Id(on)(A):21
功率PD(W):50
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述: 250V,21A 功率MOSFET
深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。
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供应 场效应管 IRFS634A,IRFS634B,IRFI634G
信息内容：产品型号:IRFS634A 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45 漏极电流Id(on)(A):8.1 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:250V,8.1A功率MOSFET 产品型号:IRFS634B 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45 漏极电流Id(on)(A):8.1 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:250V,8.1A功率MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FQP4N20L,FQP4N20,FQP19N20
信息内容：产品型号:FQP4N20L 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.35 漏极电流Id(on)(A):3.8 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:200V,3.8A 功率MOSFET 深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
