供应 场效应管 FQP4N20L,FQP4N20,FQP19N20
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FQP4N20L,TO-220,MOS,200V,3.8A | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD（飞兆） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:FQP4N20L
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.35
漏极电流Id(on)(A):3.8
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:200V,3.8A 功率MOSFET
深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
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供应 场效应管 FQP2N90,SSP2N90A,SSP2N90
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！ 全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话 MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FQP2N90 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):2.2 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):7.2 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):85 极间电容Ciss(PF):500 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:900V,2.2 A N-Channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FQP7N80,FQP7N80C,FQP6N80C
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！ 全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话 MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:FQP6N80C 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(on)(A):5.5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.5 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):158 极间电容CISS(PF):1310 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:800V N-Channel MOSFET 产品型号:FQP7N80C 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(on)(A):6.6 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.9 开启电压VGS(TH)(V):5 功率PD(W):167 极间电容CISS(PF):1680 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:800V N-Channel MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
