供应 ST场效应管 STF11NM80
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STF11NM80 | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 环保类别： | 无铅环保型 |
产品型号:STF11NM80
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):11
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):1630 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):400
导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ.
上升时间Tr(ns):17 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):46 typ.
下降时间Tf(ns):15 typ.
温度(℃): -65 ~150
描述:800V,11A N-沟道增强型场效应晶体管
产品特点：
.低输入电容和闸电荷
.低栅极输入电阻
.的RDS（on）和 Qg
应用:
.开关应用
.电子镇流器
经营：各种场效应管、IGBT、三极管、肖特基、快恢复、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC等..
品牌:
AO IR ON ST TOSHIBA/东芝 FAIRCHILD/仙童 SANYO/三洋 infineon/英飞凌 FUJ/富士电机 NEC KEC AP/富鼎
深圳市福田区华富路航都大厦13E(上海宾馆后面) 门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室
网站： http://www.chinajincheng.com
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 2SK3565 K3565
信息内容：产品型号:2SK3565 封装:TO-220F 标记:K3565 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):5 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.5 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):45 输入电容Ciss(PF):1150 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：4.5 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):595 导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ. 上升时间Tr(ns):70 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ. 下降时间Tf(ns):170 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:900V,5A N-沟道增强型场效应晶体管 特点 .低漏源导通电阻RDS（ON）=2.0Ω（typ值） .高正向传输导纳：|YFS|=4.5 S（typ值） .低漏电流IDSS= 100uA（VDS =720 V） .增强模式：VTH= 2.0--4.0 V（V DS=10 V，ID= 1毫安） 应用 .开关稳压器
供应 场效应管 BSC010NE2LSI,010NE2LI
信息内容：产品型号:BSC010NE2LSI 封装:PG-TDSON-8 标记:010NE2LI 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.00105 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):96 输入电容Ciss(PF):4200 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：160 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100 导通延迟时间Td(on)(ns):6.3 typ. 上升时间Tr(ns):6.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):32 typ. 下降时间Tf(ns):4.6 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:25V,100A N-沟道增强型场效应晶体管 特点 .优化的高性能降压转换器 .100％的雪崩测试 .非常低的导通电阻RDS（ON）@ VGS= 4.5 V .无铅电镀，符合RoHS标准 .无卤素根据IEC61249-2-21 .如二极管单片集成肖特基 应用 .板载功率为服务器 .电源枭雄高性能计算 .利用同步整流 .高功率密度负载点转换器 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
