供应 场效应管 BSC120N03LSG,BSC120N03,120N03LS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC120N03LS G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N,30V,39A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC120N03LSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):10
漏极电流Id(A):39
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):28
极间电容Ciss(PF):920 typ.
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：50
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,39A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC016N04LSG,016N04LS,BSC016N04
信息内容：BSC016N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0016Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 40 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 295 mJ Gate source voltage VGS ±20 V ...
供应 场效应管 BSC057N03MSG,057N03MS,BSC057N03
信息内容：产品型号:BSC057N03MSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±16 雪崩能量EAS(mJ):25 漏极电流Id(A):71 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057@VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):45 极间电容Ciss(PF):2300 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：70 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,71A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
