价 格: | 面议 | |
型号/规格: | BSC119N03SG | |
品牌/商标: | INFINEON(英飞凌) | |
封装形式: | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 5000/盘 |
产品型号:BSC119N03SG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):60
漏极电流Id(A):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0119 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):43
极间电容Ciss(PF):1030 typ.
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):43
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,30A, OptiMOS Power-Transistor
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
产品型号:BSC120N03LSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):10 漏极电流Id(A):39 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.2 功率PD(W):28 极间电容Ciss(PF):920 typ. 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s):50 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,39A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
BSC016N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0016Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 40 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 295 mJ Gate source voltage VGS ±20 V ...