供应 场效应管 BSC059N03S G,59N03S,BSC059N03SG
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC059N03SG,PG-TSDSON-8,30V,50A,5.5mΩ | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC059N03SG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):150
漏极电流Id(A):50
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):48
极间电容Ciss(PF):2010 TYP
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：84
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,50A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSZ035N03MSG,035N03M
信息内容：BSZ035N03MSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,30V,40A,0.0035Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 40 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 160 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 69 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold ...
供应 场效应管 BSZ520N15NS3G,520N15N
信息内容：产品型号:BSZ520N15NS3G 封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):150 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):60 漏极电流Id(A):21 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.052 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):57 极间电容Ciss(PF):670 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：21 温度(℃): -55 ~150 描述:150V,21A,OptiMOS Power-Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
