供应 场效应管 BSZ520N15NS3G,520N15N
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSZ520N15NS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,150V,21A,0.052Ω. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSZ520N15NS3G
封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):150
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):60
漏极电流Id(A):21
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.052 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):57
极间电容Ciss(PF):670
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：21
温度(℃): -55 ~150
描述:150V,21A,OptiMOS Power-Transistor
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSZ067N06LS3G,067N06L
信息内容：Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 60 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 20 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 80 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 69 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=35µA ...
供应 场效应管 BSC042N03LSG,042N03LS,BSC042N03
信息内容：型 号：BSC042N03LSG 标 记: 042N03LS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250uA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 93 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 372 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=40A, RGS=25Ω ...
