供应 场效应管 BSZ035N03MSG,035N03M
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSZ035N03MSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,30V,40A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
BSZ035N03MSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,30V,40A,0.0035Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 40 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 160 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 69 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=20A, RGS=25Ω | 150 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=20A | 3.5 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 4300 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 94 | S |
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 BSZ520N15NS3G,520N15N
信息内容：产品型号:BSZ520N15NS3G 封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):150 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):60 漏极电流Id(A):21 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.052 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):57 极间电容Ciss(PF):670 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：21 温度(℃): -55 ~150 描述:150V,21A,OptiMOS Power-Transistor (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 BSZ067N06LS3G,067N06L
信息内容：Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 60 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 20 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 80 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 69 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=35µA ...
