供应 场效应管 BSC014N03MSG,014N03MS,BSC014N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC014N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,100A,0.0014Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC014N03MSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):50
漏极电流Id(A):100
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0014 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):139
极间电容Ciss(PF):10000
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：140
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,100A N-channel Power-MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC070N10NS3G,070N10NS,BSC070N10
信息内容：型 号：BSC070N10NS3G 标 记: 070N10NS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 100 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 90 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 360 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 160 ...
供应 场效应管 BSC889N03MSG,889N03MS,BSC889N03
信息内容：BSC889N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,44A,9.1Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 44 A Pulsed drain current ID,pulse TC=25℃ 176 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 28 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltage ...
