供应 场效应管 BSC042N03MSG，042N03MS,BSC042N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC042N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,93A,0.0042Ω. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
| 型 号：BSC042N03MSG | ||||
| 标 记: 042N03MS | ||||
| 类 型：场效应管 | ||||
| 通道极性: N通道 | ||||
| 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
| 备 注： | ||||
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 93 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 372 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=30A, RGS=25Ω | 40 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 57 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 4.2 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 3200 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 84 | S |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC014N03MSG,014N03MS,BSC014N03
信息内容：产品型号:BSC014N03MSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):50 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0014 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):139 极间电容Ciss(PF):10000 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：140 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,100A N-channel Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 BSC070N10NS3G,070N10NS,BSC070N10
信息内容：型 号：BSC070N10NS3G 标 记: 070N10NS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 100 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 90 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 360 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 160 ...
