供应 场效应管 BSC047N08NS3G,047N08NS,BSC047N08
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC047N08NS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,80V,100A,0.0047Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
BSC047N08NS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,80V,100A,0.0047Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 80 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 100 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 400 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 310 | mJ |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 125 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=90µA | 3.5 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | 4.7 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=40V, f=1MHz | 3600 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=100A | 120 | S |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC110N06NS3G,110N06NS,BSC110N06
信息内容：型 号：BSC110N06NS3G 标 记: 110N06NS 类 型：场效应管 通道极性:N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 60 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 50 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 22 ...
供应 场效应管 BSC100N10NSFG,100N10NS
信息内容：型 号：BSC100N10NSFG 标 记: 100N10NS 类 型：场效应管 通道极性:N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 100 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 90 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 360 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25? 377 mJ Gate source voltage VGS ±20 V Power dissipation Ptot TC=25℃ 156 W Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=110µA 4 V Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=25A 10 m? Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=37.5V, f=1MHz 2200 PF Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A 61 S
