供应 场效应管 BSC100N10NSFG,100N10NS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC100N10NSFG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,100V,90A,0.01Ω. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
型 号：BSC100N10NSFG
标 记: 100N10NS
类 型：场效应管
通道极性:N通道
封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
备 注：
Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 100 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 90 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 360 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25? 377 mJ
Gate source voltage VGS ±20 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 156 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=110µA 4 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=25A 10 m?
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=37.5V, f=1MHz 2200 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A 61 S
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC020N03,020N03MS,BSC020N03MSG
信息内容：产品型号:BSC020N03MSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 雪崩能量EAS(mJ):200 漏极电流Id(A):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.002 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):96 极间电容Ciss(PF):7200 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s)：120 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,100A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应场效应管 AO4406AL,AO4418,AO4456,AO4468
信息内容：深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon（英飞凌）, FAIRCHILD（仙童）, ST（意法半导体）, IR（美国国际整流器件）, VISHAY(威世), TOSHIBA（东芝）, FUJI（富士电机）等国际品牌，经营各种直插和贴片系列场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等元件，主要应用于太阳能、电动车控制器，LED照明电源、电源适配器、逆变器、节能灯镇流器等领域。 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。
