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4A双向可控硅BT136-600G

价 格: 面议

型号:BT136-600G(4A,600V)电流:4(A) 电压:600(V)
触发电流:<50 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:TO-220AB
控制方式:双向

?产品类别:4A 四象限 非绝缘型 双向可控硅
?工业型号:BT136-600G
?封装形式:TO-220AB220半塑封)
?电流/IT(RMS):≥ 4 A 
?电压/VDRM:≥600V
?触发电流/IGT
 IGT(T2+G+):≤50 mA(象限)
 IGT(T2+G-):≤50 mA(第二象限)
 IGT(T2-G-):≤50 mA(第三象限)
 IGT(T2-G+):≤75 mA(第四象限)
?触发电压/VGT0.71.5V
?门极散耗功率:0.1W
?工作温度/Tj-40~+110°C (储存温度 -40~+150)
?器件品牌:KKGPhilips   两种品牌同时供应
?包装规格:管装,每管50,每盒1K,每箱6K
?库存状况:接受订货可长期供应

深圳市浩海电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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高压双向可控硅BT134-800E(SOT-82)(图)

信息内容:

型号:BT134-800E电流:4(A) 电压:800(V) 触发电流:10 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:SOT-82控制方式:双向►产品类别:4A 双向可控硅►工业型号:BT134-800E►封装形式:SOT-82►电流/IT(RMS):≤ 4 A ►电压/VDRM:≥800V►触发电流/IGT: IGTⅠ(T2+G+):≤10 mA(象限) IGTⅡ(T2+G-):≤10 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤10 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤25 mA(第四象限)►触发电压/VGT:0.7~1.5V►门极散耗功率:0.1W ►工作温度/Tj:-40~+125°C (储存温度 -40~+150℃)►器件品牌:HSMC►包装规格:袋装, 每包1Kpcs, 每盒10Kpcs 管装,每管50PCS,每盒1K,每箱10K►库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)

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4A双向可控硅BT134-600D

信息内容:

品牌:HAOHAI浩海型号:BT134-600D(4A,600V)控制方式:双向极数:四极封装材料:塑料封装封装外形:其他关断速度:其他产品类别:4A双向可控硅 工业型号:BT134-600D 封装形式:SOT-82(TO-126两种封装) 电流/IT(RMS):≤4 A 电压/VDRM:≥600V 触发电流/IGT: IGTⅠ(T2+G+):≤5 mA(象限) IGTⅡ(T2+G-):≤5 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤5 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤7 mA(第四象限) 触发电压/VGT:0.7~1.5V 门极散耗功率:0.1W 工作温度/Tj:-40~+110°C(储存温度-40~+150℃) 器件品牌:KKG(HAOHAI ELECTRONICS) 包装规格:袋装,每包1Kpcs,每盒10Kpcs管装,每管50PCS,每盒1K,每箱10K 库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)

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