4A双向可控硅BT134-600D
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：HAOHAI浩海 | 型号：BT134-600D(4A,600V) | 控制方式：双向 |
| 极数：四极 | 封装材料：塑料封装 | 封装外形：其他 |
| 关断速度：其他 |
产品类别：4A双向可控硅 工业型号：BT134-600D 封装形式：SOT-82（TO-126两种封装） 电流/IT(RMS)：≤4 A 电压/VDRM：≥600V 触发电流/IGT： IGTⅠ(T2+G+)：≤5 mA（象限） IGTⅡ(T2+G-)：≤5 mA（第二象限） IGTⅢ(T2-G-)：≤5 mA（第三象限） IGTⅣ(T2-G+)：≤7 mA（第四象限） 触发电压/VGT：0.7～1.5V 门极散耗功率：0.1W 工作温度/Tj：-40~+110°C(储存温度-40~+150℃) 器件品牌：KKG（HAOHAI ELECTRONICS） 包装规格：袋装，每包1Kpcs，每盒10Kpcs管装，每管50PCS，每盒1K，每箱10K 库存状况：现货供应（接受订货/可长期供应)
- 所属城市：广东 深圳
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4A双向可控硅BTB04-600SAP
信息内容：型号：BTB04-600SAP电流：4（A） 电压：600（V） 触发电流：3 mA（A） 结温：125（℃） 封装形式：TO-220AB控制方式：双向 ?产品类别：4A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ?工业型号：BTB04-600SAP ?封装形式：TO-220AB ?电流/IT(RMS)：≥4 A ?电压/VDRM：≥600V ?触发电流/IGT： IGTⅠ(T2+G+)：≤3 mA（象限） IGTⅡ(T2+G-)：≤3 mA（第二象限） IGTⅢ(T2-G-)：≤3 mA（第三象限） IGTⅣ(T2-G+)：≤5 mA（第四象限） ?触发电压/VGT：＜1.5V ?门极散耗功率：1W ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌：ST、KKG （同时供应） ?包装规格：管装， 每管50pcs， 每盒1Kpcs 一盒/1K起出货，原包装无零散数量时不拆零 ?库存状况：接受订货
双向可控硅BT139-800G
信息内容：型号：BT139-800G电流：16（A） 电压：800（V） 触发电流：50mA（A） 结温：125（℃） 封装形式：TO-220AB控制方式：双向 ?产品类别：16A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ?工业型号：BT139-800G ?封装形式：TO-220AB（220半塑封） ?电流/IT(RMS)：≥16 A ?电压/VDRM：≥800 V ?触发电流/IGT： IGTⅠ(T2+G+)：≤50 mA（象限） IGTⅡ(T2+G-)：≤50 mA（第二象限） IGTⅢ(T2-G-)：≤50 mA（第三象限） IGTⅣ(T2-G+)：≤75 mA（第四象限） ?触发电压/VGT：0.7～1.5V ?门极散耗功率：0.1W ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌：KKG ?包装规格：管装，每管50，每盒1K，每箱6K ?库存状况：少量现货 (接受订货/可长期供应)
