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高压双向可控硅BT134-800E(SOT-82)(图)

价 格: 面议

型号:BT134-800E电流:4(A) 电压:800(V)
触发电流:10 mA(A) 结温:110(℃) 封装形式:SOT-82
控制方式:双向

产品类别:4A 双向可控硅
工业型号:BT134-800E
封装形式:SOT-82
电流/IT(RMS):≤ 4 A 
电压/VDRM:≥800V
触发电流/IGT
 IGT(T2+G+):≤10 mA(象限)
 IGT(T2+G-):≤10 mA(第二象限)
 IGT(T2-G-):≤10 mA(第三象限)
 IGT(T2-G+):≤25 mA(第四象限)
触发电压/VGT0.71.5V
门极散耗功率:0.1W
工作温度/Tj-40~+125°C (储存温度 -40~+150)
器件品牌:HSMC
包装规格:袋装, 每包1Kpcs 每盒10Kpcs
 管装,每管50PCS,每盒1K,每箱10K
库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)

深圳市浩海电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 吴菊华
  • 电话:755-27832499
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4A双向可控硅BT134-600D

信息内容:

品牌:HAOHAI浩海型号:BT134-600D(4A,600V)控制方式:双向极数:四极封装材料:塑料封装封装外形:其他关断速度:其他产品类别:4A双向可控硅 工业型号:BT134-600D 封装形式:SOT-82(TO-126两种封装) 电流/IT(RMS):≤4 A 电压/VDRM:≥600V 触发电流/IGT: IGTⅠ(T2+G+):≤5 mA(象限) IGTⅡ(T2+G-):≤5 mA(第二象限) IGTⅢ(T2-G-):≤5 mA(第三象限) IGTⅣ(T2-G+):≤7 mA(第四象限) 触发电压/VGT:0.7~1.5V 门极散耗功率:0.1W 工作温度/Tj:-40~+110°C(储存温度-40~+150℃) 器件品牌:KKG(HAOHAI ELECTRONICS) 包装规格:袋装,每包1Kpcs,每盒10Kpcs管装,每管50PCS,每盒1K,每箱10K 库存状况:现货供应(接受订货/可长期供应)

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4A双向可控硅BTB04-600SAP

信息内容:

型号:BTB04-600SAP电流:4(A) 电压:600(V) 触发电流:3 mA(A) 结温:125(℃) 封装形式:TO-220AB控制方式:双向 ?产品类别:4A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ?工业型号:BTB04-600SAP ?封装形式:TO-220AB ?电流/IT(RMS):≥4 A ?电压/VDRM:≥600V ?触发电流/IGT:  IGTⅠ(T2+G+):≤3 mA(象限)  IGTⅡ(T2+G-):≤3 mA(第二象限)  IGTⅢ(T2-G-):≤3 mA(第三象限)  IGTⅣ(T2-G+):≤5 mA(第四象限) ?触发电压/VGT:<1.5V ?门极散耗功率:1W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌:ST、KKG (同时供应) ?包装规格:管装, 每管50pcs, 每盒1Kpcs  一盒/1K起出货,原包装无零散数量时不拆零 ?库存状况:接受订货

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