是否提供加工定制:否 | 品牌:国产 | 型号:2SC2246 |
应用范围:放大 | 材料:硅(Si) | 极性:NPN型 |
击穿电压VCBO:600(V) | 集电极允许电流ICM:15(A) | 集电极耗散功率PCM:100(W) |
结构:平面型 | 封装形式:直插型 | 封装材料:金属封装 |
生产三极管(大功率)、场效应管、开关三极管、功放对管、超声波用晶体管等一系列功率分立器件。
三极管:2SC3320 2SC5200 2SC3998 2SC4237 2SC2922 3DD5686 3DF50C 2SC2625 2SC3058 2SC3858 2SC5196
场效应管:6N60 60N06 IRF640 IRF634 10N60 IRFP460 IRF540N 50N06 IRFZ44N 8N60 IRFPE50 32N50
超声波用晶体管:BUX48A BUS14A BU508A BUX98A BU208A
功放对管:2SC5200/2SA1943 3DD5686/3CD5684 2SC3858/2SA1494 2SC5196/2SA1939 2SB817/2SD1047
开关三极管:13005 13007 13009
是否提供加工定制:否品牌:国产型号:2SC3153应用范围:放大材料:硅(Si)极性:NPN型结构:平面型封装形式:直插型封装材料:塑料封装 型号:2SC3153NPN硅大功率晶体管 封装形式:TO-247 电特性:极限值(除非另有规定Tamb=25℃)参数名称符 号额定值单 位集电极—发射极电压VCE0800V集电极—基极电压VCBO900V发射极—基极电压VEBO7V集电极电流IC6A基极电流IB3A耗散功率Pc100W贮存温度Tstg-55 ~ 150℃ 电参数(除非另有规定Tamb=25℃)参数名称符号测试条件规范值单位最小典型集电极-基极截止电流ICB0VCB=800V, IE=0——10.0uA发射极-基极截止电流IEB0VEB=5V, IC=0——10.0uA共发射极正向电流的静态值hFEaIC=50mA, IB=0A10—— 集电极-发射极饱和电压VCEsataIC=6.0A , IB=2.0A 800—1V集电极-发射极击穿电压V(BR)CEOIC=5mA, IB=0800——V集电极-基极击穿电压 V(BR)CBOIC=1mA, IE=0900——V发射极-基极击穿电压V(BR)EBOIC=1mA , IC=07.0——V特征频率fTVce=...
是否提供加工定制:否品牌:国产型号:2SC2625应用范围:放大材料:硅(Si)极性:NPN型结构:平面型封装形式:直插型封装材料:塑料封装 型号:2SC2625NPN硅大功率晶体管 封装形式:TO-3PN电特性:极限值(除非另有规定Tamb=25℃)参数名称符 号额定值单 位集电极—发射极电压VCE0400V集电极—基极电压VCBO450V发射极—基极电压VEBO7V集电极电流IC10A基极电流IB3A耗散功率Pc80W结 温Tj150℃贮存温度Tstg-55 ~ 150℃ 电参数(除非另有规定Tamb=25℃)参数名称符号测试条件规范值单位最小典型集电极-基极截止电流ICB0VCB=450V, IE=0——1.0mA发射极-基极截止电流IEB0VEB=7V, IC=0——0.1mA直流电流增浮率hFEIC=4A, Vce=5V10—— 集电极-发射极饱和电压VCEsataIC=4A , IB=0.8A ——1.2V基 极-发射极饱和电压VBEsata——1.5 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEOIC=10mA, IB=0400——V集电极-基极击穿电压 V(BR)CBOIC=1.0mA, IE=0450——V特征频率fTVce=10V,Ic...