三极管2SC3153
| 价 格： | 5.50 |
| 是否提供加工定制：否 | 品牌：国产 | 型号：2SC3153 |
| 应用范围：放大 | 材料：硅(Si) | 极性：NPN型 |
| 结构：平面型 | 封装形式：直插型 | 封装材料：塑料封装 |
型号：2SC3153
NPN硅大功率晶体管
封装形式：TO-247
电特性：
极限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | 符 号 | 额定值 | 单 位 |
集电极—发射极电压 | VCE0 | 800 | V |
集电极—基极电压 | VCBO | 900 | V |
发射极—基极电压 | VEBO | 7 | V |
集电极电流 | IC | 6 | A |
基极电流 | IB | 3 | A |
耗散功率 | Pc | 100 | W |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小 | 典型 | |||||
集电极-基极截止电流 | ICB0 | VCB=800V, IE=0 | — | — | 10.0 | uA |
发射极-基极截止电流 | IEB0 | VEB=5V, IC=0 | — | — | 10.0 | uA |
共发射极正向电流的静态值 | hFEa | IC=50mA, IB=0A | 10 | — | — |
|
集电极-发射极饱和电压 | VCEsata | IC=6.0A , IB=2.0A | 800 | — | 1 | V |
集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | IC=5mA, IB=0 | 800 | — | — | V |
集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | IC=1mA, IE=0 | 900 | — | — | V |
发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | IC=1mA , IC=0 | 7.0 | — | — | V |
特征频率 | fT | Vce=10V，Ic=1A | 7.0 | — | — | MHz |
开启时间 | Ton | VCC=400V, IC=4.0A IB1=0.8A, IB2=-1.6A RL=100 ohm | — | — | 1.0 | us |
贮存时间 | ts | — | — | 3.0 | us | |
下降时间 | tf | — | — | 0.7 | us | |
a:脉冲测试 | ||||||
- 所属城市：浙江 杭州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 周柏泉
- 电话：0571-63342995
- 传真：0571-63342995
- 手机：
- QQ ：
三极管 2SC2625
信息内容：是否提供加工定制：否品牌：国产型号：2SC2625应用范围：放大材料：硅(Si)极性：NPN型结构：平面型封装形式：直插型封装材料：塑料封装 型号：2SC2625NPN硅大功率晶体管 封装形式：TO-3PN电特性：极限值（除非另有规定Tamb=25℃）参数名称符 号额定值单 位集电极—发射极电压VCE0400V集电极—基极电压VCBO450V发射极—基极电压VEBO7V集电极电流IC10A基极电流IB3A耗散功率Pc80W结 温Tj150℃贮存温度Tstg-55 ~ 150℃ 电参数（除非另有规定Tamb=25℃）参数名称符号测试条件规范值单位最小典型集电极-基极截止电流ICB0VCB=450V, IE=0——1.0mA发射极-基极截止电流IEB0VEB=7V, IC=0——0.1mA直流电流增浮率hFEIC=4A, Vce=5V10—— 集电极-发射极饱和电压VCEsataIC=4A , IB=0.8A ——1.2V基 极-发射极饱和电压VBEsata——1.5 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEOIC=10mA, IB=0400——V集电极-基极击穿电压 V(BR)CBOIC=1.0mA, IE=0450——V特征频率fTVce=10V，Ic...
大功率三极管3DF120 1200W 120A
信息内容：是否提供加工定制：否品牌：国产型号：3DF120应用范围：高反压材料：硅(Si)极性：NPN型击穿电压VCBO：230（V） 集电极允许电流ICM：120（A） 集电极耗散功率PCM：1200（W） 结构：平面型封装形式：直插型封装材料：塑料封装 生产大功率三极管、场效应管、开关三极管、超声波用晶体管、功放对管等元器件！ 3DD系列特大功率三极管器件型号
