三极管 2SC2625
| 价 格： | 3.50 |
| 是否提供加工定制：否 | 品牌：国产 | 型号：2SC2625 |
| 应用范围：放大 | 材料：硅(Si) | 极性：NPN型 |
| 结构：平面型 | 封装形式：直插型 | 封装材料：塑料封装 |
型号：2SC2625
NPN硅大功率晶体管
封装形式：TO-3PN
电特性：
极限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | 符 号 | 额定值 | 单 位 |
集电极—发射极电压 | VCE0 | 400 | V |
集电极—基极电压 | VCBO | 450 | V |
发射极—基极电压 | VEBO | 7 | V |
集电极电流 | IC | 10 | A |
基极电流 | IB | 3 | A |
耗散功率 | Pc | 80 | W |
结 温 | Tj | 150 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小 | 典型 | |||||
集电极-基极截止电流 | ICB0 | VCB=450V, IE=0 | — | — | 1.0 | mA |
发射极-基极截止电流 | IEB0 | VEB=7V, IC=0 | — | — | 0.1 | mA |
直流电流增浮率 | hFE | IC=4A, Vce=5V | 10 | — | — |
|
集电极-发射极饱和电压 | VCEsata | IC=4A , IB=0.8A | — | — | 1.2 | V |
基 极-发射极饱和电压 | VBEsata | — | — | 1.5 |
| |
集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | IC=10mA, IB=0 | 400 | — | — | V |
集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | IC=1.0mA, IE=0 | 450 | — | — | V |
特征频率 | fT | Vce=10V，Ic=1A |
| — | — | MHz |
开启时间 | Ton | VCC=150V, IC=5.0A IB1= -1A, IB2=1.0A RL=30 ohm | — | — | 1.0 | us |
贮存时间 | ts | — | — | 2.5 | us | |
下降时间 | tf | — | — | 1.0 | us | |
a:脉冲测试 | ||||||
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大功率三极管3DF120 1200W 120A
信息内容：是否提供加工定制：否品牌：国产型号：3DF120应用范围：高反压材料：硅(Si)极性：NPN型击穿电压VCBO：230（V） 集电极允许电流ICM：120（A） 集电极耗散功率PCM：1200（W） 结构：平面型封装形式：直插型封装材料：塑料封装 生产大功率三极管、场效应管、开关三极管、超声波用晶体管、功放对管等元器件！ 3DD系列特大功率三极管器件型号
金属封装 三极管-MJ2955
信息内容：是否提供加工定制：否品牌：国产型号：MJ2955应用范围：高反压材料：硅(Si)极性：NPN型集电极允许电流ICM：15（A） 集电极耗散功率PCM：150（W） 结构：平面型封装形式：直插型封装材料：金属封装MJ2599 铁冒 晶体管 参数：15A 150W本公司生产三极管（大功率）、场效应管、开关三极管、功放对管、超声波用晶体管等一系列功率分立器件。三极管：2SC3320 2SC5200 2SC3998 2SC4237 2SC2922 3DD5686 3DF50C 2SC2625 2SC3058 2SC3858 2SC5196场效应管：6N60 60N06 IRF640 IRF634 10N60 IRFP460 IRF540N 50N06 IRFZ44N 8N60 IRFPE50 32N50超声波用晶体管：BUX48A BUS14A BU508A BUX98A BU208A功放对管：2SC5200/2SA1943 3DD5686/3CD5684 2SC3858/2SA1494 2SC5196/2SA1939 2SB817/2SD1047各种功放对管都可根据要求提供筛选配对，芯片采用进口管芯，质量可靠，可以根据客户要求订做特殊参数产品开关三极管：13005 13007 13009
