单向可控硅MCR25M(TO-220AB)
| 价 格： | 面议 |
| 型号：MCR25M (25A/600V) | 电流：≥ 25（A） | 电压：≥600（V） |
| 触发电流：4-30 mA（A） | 结温：110（℃） | 封装形式：TO-220AB (半塑封) |
| 控制方式：单向 |
| ?产品类别：25A 单向可控硅-SCRs |
| ?公司型号：MCR25M |
| ?可以代替：MCR25M、BT152-600R |
| ?封装外形：TO-220AB |
| ?管脚排列：K-G-A （K-Cathode；G-Gate；A-Anode） |
| ?电流/IT(RMS)：≥25 A ( ITSM: ≤300 A ) |
| ?电压/VDRM：≥600 V |
| ?触发电流/IGT：Gate trigger current（VD=12V；RL=100Ω） |
| 4～12～30 mA (最小值～中间值～值) (毫安) |
| ?触发电压/VGT： 0.5V～0.67V～1.00V |
| ?门极散耗功率：0.5W (Average gate power dissipation) |
| ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) |
| ?器件品牌：KKG（HAOHAI ELECTRONICS） |
| ?包装规格：管装，每管50PCS，每盒2K |
| ?供应状况：少量现货，接受订货 可长期供应 |
- 所属城市：广东 深圳
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12A单向可控硅MCR12N(1000V电压)
信息内容：品牌：HAOHAI浩海型号：MCR12N(特制高压品种1000V)控制方式：单向极数：-封装材料：-封装外形：-关断速度：-额定正向平均电流：-（A） 控制极触发电流：-（mA） 稳定工作电流：-（A） 反向重复峰值电压：-（V） ?产品类别：12A单向可控硅-SCRs?工业型号：BT151-□□□□?工业型号：MCR12N（特制高压品种）1000V?封装外形：TO-220AB?管脚排列：K-G-A（K-Cathode；G-Gate；A-Anode）?电流/IT(RMS)：≥12 A ( ITSM:≤100 A )?电压/VDRM：≥1000V?触发电流/IGT：Gate trigger current（VD=12V；RL=100Ω）5～12～200 ?A (最小值～中间值～值) (微安)?触发电压/VGT：0.45V～0.65V～1.00V?门极散耗功率：0.5W(Average gate power dissipation)?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃)?器件品牌：KKG、VAST?包装规格：管装，每管50PCS，每盒2K?供应状况：少量现货，接受订货 可长期供应
50A 单向可控硅 BTW67-1200
信息内容：品牌：HAOHAI浩海型号：BTW67-1200控制方式：单向极数：三极封装材料：树脂封装封装外形：RD-91关断速度：高频(快速)散热功能：带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：50（A） 控制极触发电流：80（mA） 稳定工作电流：50（A） 反向重复峰值电压：1200（V） ?产品类别：50A单向可控硅-SCRs?工业型号：BTW67-1200（意法ST型号）?封装外形：RD-91（金封）?管脚排列：K-A-G (K-Cathode；A-Anode；G-Gate)?电流/IT(RMS)：≥50 A （ITSM:≤610 A）?电压/VDRM：≥1200V?触发电流/IGT：8～80 mA （毫安）?触发电压/VGT：≤1.3 V?门极散耗功率：1 W (Average gate power dissipation)?工作温度/Tj：-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃)?器件品牌：ST 也可提供性能/参数相同之代替品?包装规格：袋装，每盒1包，每盒250 Pcs?供应状况：接受订货 可长期供应
