品牌:HAOHAI浩海 | 型号:BTW67-1200 | 控制方式:单向 |
极数:三极 | 封装材料:树脂封装 | 封装外形:RD-91 |
关断速度:高频(快速) | 散热功能:带散热片 | 频率特性:高频 |
功率特性:大功率 | 额定正向平均电流:50(A) | 控制极触发电流:80(mA) |
稳定工作电流:50(A) | 反向重复峰值电压:1200(V) |
?产品类别:50A单向可控硅-SCRs |
?工业型号:BTW67-1200(意法ST型号) |
?封装外形:RD-91(金封) |
?管脚排列:K-A-G (K-Cathode;A-Anode;G-Gate) |
?电流/IT(RMS):≥50 A (ITSM:≤610 A) |
?电压/VDRM:≥1200V |
?触发电流/IGT:8~80 mA (毫安) |
?触发电压/VGT:≤1.3 V |
?门极散耗功率:1 W (Average gate power dissipation) |
?工作温度/Tj:-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃) |
?器件品牌:ST |
也可提供性能/参数相同之代替品 |
?包装规格:袋装,每盒1包,每盒250 Pcs |
?供应状况:接受订货 可长期供应 |
型号:MCR100-8M 贴片封装电流:0.8(A) 电压:≥600(V) 触发电流:≤200 uA(A) 结温:110(℃) 封装形式:SOT-89 贴片封装控制方式:单向 ?产品类别:0.8A 贴片单向可控硅-SCRs ?工业型号:MCR100-8M (摩托罗拉/安森美型号) ?封装外形:SOT-89 (SMD Package:SOT89) ?管脚排列:K-G-A (K-Cathode;G-Gate;A-Anode) ?电流/IT(RMS):≤0.8 A ?电压/VDRM:≥600 V ?触发电流/IGT: (中间值~值) (微安) 40~200 ?A ( 触发电流分段可选 ) ?触发电压/VGT: 0.62~0.8 V ?门极散耗功率:0.65 W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌:KKG(HAOHAI ELECTRONICS) ?包装规格:卷带卷盘包装,每卷3K,每盒4卷 ?供应状况:大量现货供应,接受订货。
品牌:HAOHAI浩海型号:HCP10C60控制方式:单向极数:-封装材料:-封装外形:-关断速度:-额定正向平均电流:-(A) 控制极触发电流:-(mA) 稳定工作电流:-(A) 反向重复峰值电压:-(V) ?产品类别:10A单向可控硅-SCRs?工业型号:BT151-600R SCP10C60?公司型号:HCP10C60?封装外形:TO-220?管脚排列:K-G-A (K-Cathode;G-Gate;A-Anode)?储存温度/Tstg: -40~+150℃, 结温/Tj:-40~+125°C?重复峰值断态电压/VDRM:≥600 V?通态电流/均方值/ IT(RMS): ≤10A?平均通态电流/ IT(AV):≤6.4 A(半正弦波,Tc=111℃)?浪涌通态电流/ITSM: ≤110 A (60HZ,正弦波,1/2周期,不重复)?反向峰值门极电压/VGRM:5 V?正向峰值门极电流/IFGM:2.0 A?峰值门极功耗/PGM:5.0 W?重复峰值断态电流/IDRM:≤10 uA (VAK=VDRM,Ta=25℃) 重复峰值断态电流/IDRM:≤200 uA (VAK=VDRM,Ta=125℃)?峰值通态电压/VTM:≤1.6 V 值 (ITM=20A,tp=380us)?门极触发电流/IGT: ≤15 mA 值 (VAK=6V,RL=10Ω,Ta=25℃)?门极触发电压/VGT:≤1.5V 值 (VAK=6V,RL=10Ω,Ta=25℃)?门极不触发电压/VGD:≥ 0.2V (VAK=12V,RL=100Ω,Ta=125...