品牌:HAOHAI浩海 | 型号:MCR12N(特制高压品种1000V) | 控制方式:单向 |
极数:- | 封装材料:- | 封装外形:- |
关断速度:- | 额定正向平均电流:-(A) | 控制极触发电流:-(mA) |
稳定工作电流:-(A) | 反向重复峰值电压:-(V) |
?产品类别:12A单向可控硅-SCRs |
?工业型号:BT151-□□□□ |
?工业型号:MCR12N(特制高压品种)1000V |
?封装外形:TO-220AB |
?管脚排列:K-G-A(K-Cathode;G-Gate;A-Anode) |
?电流/IT(RMS):≥12 A ( ITSM:≤100 A ) |
?电压/VDRM:≥1000V |
?触发电流/IGT:Gate trigger current(VD=12V;RL=100Ω) |
5~12~200 ?A (最小值~中间值~值) (微安) |
?触发电压/VGT:0.45V~0.65V~1.00V |
?门极散耗功率:0.5W(Average gate power dissipation) |
?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) |
?器件品牌:KKG、VAST |
?包装规格:管装,每管50PCS,每盒2K |
?供应状况:少量现货,接受订货 可长期供应 |
品牌:HAOHAI浩海型号:BTW67-1200控制方式:单向极数:三极封装材料:树脂封装封装外形:RD-91关断速度:高频(快速)散热功能:带散热片频率特性:高频功率特性:大功率额定正向平均电流:50(A) 控制极触发电流:80(mA) 稳定工作电流:50(A) 反向重复峰值电压:1200(V) ?产品类别:50A单向可控硅-SCRs?工业型号:BTW67-1200(意法ST型号)?封装外形:RD-91(金封)?管脚排列:K-A-G (K-Cathode;A-Anode;G-Gate)?电流/IT(RMS):≥50 A (ITSM:≤610 A)?电压/VDRM:≥1200V?触发电流/IGT:8~80 mA (毫安)?触发电压/VGT:≤1.3 V?门极散耗功率:1 W (Average gate power dissipation)?工作温度/Tj:-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃)?器件品牌:ST 也可提供性能/参数相同之代替品?包装规格:袋装,每盒1包,每盒250 Pcs?供应状况:接受订货 可长期供应
型号:MCR100-8M 贴片封装电流:0.8(A) 电压:≥600(V) 触发电流:≤200 uA(A) 结温:110(℃) 封装形式:SOT-89 贴片封装控制方式:单向 ?产品类别:0.8A 贴片单向可控硅-SCRs ?工业型号:MCR100-8M (摩托罗拉/安森美型号) ?封装外形:SOT-89 (SMD Package:SOT89) ?管脚排列:K-G-A (K-Cathode;G-Gate;A-Anode) ?电流/IT(RMS):≤0.8 A ?电压/VDRM:≥600 V ?触发电流/IGT: (中间值~值) (微安) 40~200 ?A ( 触发电流分段可选 ) ?触发电压/VGT: 0.62~0.8 V ?门极散耗功率:0.65 W ?工作温度/Tj:-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌:KKG(HAOHAI ELECTRONICS) ?包装规格:卷带卷盘包装,每卷3K,每盒4卷 ?供应状况:大量现货供应,接受订货。