可控硅Z0409MF
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：ST/意法 | 型号：Z0409MF Z0405MF | 控制方式：双向 |
| 极数：三极 | 封装材料：塑料封装 | 封装外形：TO-202 |
| 关断速度：普通 | 散热功能：不带散热片 | 频率特性：低频 |
| 功率特性：小功率 | 额定正向平均电流：4（A） | 控制极触发电流：-20-30（mA） |
| 反向重复峰值电压：600（V） |
厂家直销,现货供应.详情可与门市部0755-33060028 莫生联系。
产品特征
1.内部芯片采用NPNP四层结构的硅双向器件。
2.台面玻璃钝化、多层金属电极工艺。
3.单面台面结构，具有门极灵敏触发，耐电流冲击能力强，低维持电流，高低温特性可靠。
- 所属城市：广东 深圳
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双向可控硅BTA60
信息内容：品牌：WG型号：BTA60控制方式：双向极数：三极封装材料：金属封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：带散热片频率特性：超高频功率特性：大功率额定正向平均电流：60（A） 控制极触发电流：50（mA） 主要用于：加热控制器（调温）；彩灯控制器；固态继电器；吸尘器、电动工具等马达调速控制器；其它相控电路。 ●极限参数符号 参数名称数值单位IT(RMS)通态方均根电流BTA-BTB Tc=80℃ Tc=90℃ 60AITSM 通态浪涌电流F=50HZ t=20ms 600AI2t I2t的极限值 tp=10ms 1600 A2S di/dt通态电流临界上升率 Tj=125℃ 50A/usVDRM/VRRM断态重复峰值电压反向重复峰值电压Tj=25℃ 800V IGW 门极峰值电流tp=20us Tj=125℃ 8A PG(AV) 门极平均耗散功率 Tj=125℃ 1WTstg Tj储存温度 有效结温－40to+150－40to+125℃
三极管 S9012(图)
信息内容：品牌：国产型号：S9012应用范围：功率材料：锗(Ge)极性：PNP型击穿电压VCBO：40（V） 集电极允许电流ICM：0.5（A） 集电极耗散功率PCM：0.625（W） 截止频率fT：150（MHz） 结构：平面型封装形式：TO-92封装材料：塑料封装 欢迎来电查询! ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNITCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= -100μA, IE=0 -40 VCollector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1 mA , IB=0 -25 VEmitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -100μA, IC=0 -5 VCollector cut-off current ICBO VCB=- 40V, IE=0 -0.1 μACollector cut-off current ICEO VCB=-20V, IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=- 5V, IC=0 -0.1 μA hFE(1) VCE=-4V, IC=-1mA 64 400 DC current gain hFE(2) VCE=-1V, IC= -500mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC= -500 mA, IB= -50mA -0.6 VBase-emitter voltage VBE(sat) IC= -500 mA, IB=- 50mA -1.2 VTransition frequency f TVCE=-6V, IC=-20mA,f=30MHz150 MHzCLASSIFICATION OF hFE(1)Ran...
