双向可控硅BTA60
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：WG | 型号：BTA60 | 控制方式：双向 |
| 极数：三极 | 封装材料：金属封装 | 封装外形：平底形 |
| 关断速度：高频(快速) | 散热功能：带散热片 | 频率特性：超高频 |
| 功率特性：大功率 | 额定正向平均电流：60（A） | 控制极触发电流：50（mA） |
主要用于：加热控制器（调温）；彩灯控制器；固态继电器；吸尘器、电动工具等马达调速控制器；其它相控电路。
●极限参数
符号 参数名称
数值单位
IT(RMS)通态方均根电流
BTA-BTB Tc=80℃ Tc=90℃ 60A
ITSM 通态浪涌电流
F=50HZ t=20ms 600A
I2t I2t的极限值 tp=10ms 1600 A2S di/dt
通态电流临界上升率 Tj=125℃ 50A/us
VDRM/VRRM
断态重复峰值电压
反向重复峰值电压
Tj=25℃ 800V IGW
门极峰值电流tp=20us Tj=125℃ 8A PG(AV)
门极平均耗散功率 Tj=125℃ 1W
Tstg Tj
储存温度 有效结温－40to+150－40to+125℃
- 所属城市：广东 深圳
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三极管 S9012(图)
信息内容：品牌：国产型号：S9012应用范围：功率材料：锗(Ge)极性：PNP型击穿电压VCBO：40（V） 集电极允许电流ICM：0.5（A） 集电极耗散功率PCM：0.625（W） 截止频率fT：150（MHz） 结构：平面型封装形式：TO-92封装材料：塑料封装 欢迎来电查询! ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNITCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= -100μA, IE=0 -40 VCollector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1 mA , IB=0 -25 VEmitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -100μA, IC=0 -5 VCollector cut-off current ICBO VCB=- 40V, IE=0 -0.1 μACollector cut-off current ICEO VCB=-20V, IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=- 5V, IC=0 -0.1 μA hFE(1) VCE=-4V, IC=-1mA 64 400 DC current gain hFE(2) VCE=-1V, IC= -500mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC= -500 mA, IB= -50mA -0.6 VBase-emitter voltage VBE(sat) IC= -500 mA, IB=- 50mA -1.2 VTransition frequency f TVCE=-6V, IC=-20mA,f=30MHz150 MHzCLASSIFICATION OF hFE(1)Ran...
可控硅YCR02替代CT502 TO-92M(图)
信息内容：品牌：WG型号：YCR02控制方式：单向极数：三极封装材料：塑料封装封装外形：圆壳形关断速度：普通散热功能：不带散热片频率特性：低频功率特性：小功率额定正向平均电流：2（A） 控制极触发电流：10-30（mA） 稳定工作电流：20（A） 反向重复峰值电压：500（V） 厂家特价直销.质量保证.大量现货.欢迎来电咨询！ 特点:1.主要用于漏电子保护器及其他电子设备的保护及控制电路.2.采用 N 型 NTD 硅单晶片,表面玻璃钝化平面工艺制作.3.断态峰值电压高,低的 VTM及离散性小的 IGT.。 额定值(Ta=25℃)特性 符号 额定值 单位断态重复峰值电压 V DRM 500V通态平均电流 IT（AV） 2A通态（不重复）浪涌电流 ITSM 20A控制极平均功率PC（AV） 0.2W贮存温度 T-40~110℃
