三极管 S9012(图)
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：国产 | 型号：S9012 | 应用范围：功率 |
| 材料：锗(Ge) | 极性：PNP型 | 击穿电压VCBO：40（V） |
| 集电极允许电流ICM：0.5（A） | 集电极耗散功率PCM：0.625（W） | 截止频率fT：150（MHz） |
| 结构：平面型 | 封装形式：TO-92 | 封装材料：塑料封装 |
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= -100μA, IE=0 -40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1 mA , IB=0 -25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -100μA, IC=0 -5 V
Collector cut-off current ICBO VCB=- 40V, IE=0 -0.1 μA
Collector cut-off current ICEO VCB=-20V, IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=- 5V, IC=0 -0.1 μA hFE(1) VCE=-4V, IC=-1mA 64 400 DC current gain hFE(2) VCE=-1V, IC= -500mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC= -500 mA, IB= -50mA -0.6 V
Base-emitter voltage VBE(sat) IC= -500 mA, IB=- 50mA -1.2 V
Transition frequency f T
VCE=-6V, IC=-20mA,
f=30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank D E F G H I J
Range 64-91 78-112 96-135 112-166 144-202 190-300 300-400
1 2 3
TO-92
1. EMITTER 2. BASE
3. COLLECTOR
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 莫建群
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可控硅YCR02替代CT502 TO-92M(图)
信息内容：品牌：WG型号：YCR02控制方式：单向极数：三极封装材料：塑料封装封装外形：圆壳形关断速度：普通散热功能：不带散热片频率特性：低频功率特性：小功率额定正向平均电流：2（A） 控制极触发电流：10-30（mA） 稳定工作电流：20（A） 反向重复峰值电压：500（V） 厂家特价直销.质量保证.大量现货.欢迎来电咨询！ 特点:1.主要用于漏电子保护器及其他电子设备的保护及控制电路.2.采用 N 型 NTD 硅单晶片,表面玻璃钝化平面工艺制作.3.断态峰值电压高,低的 VTM及离散性小的 IGT.。 额定值(Ta=25℃)特性 符号 额定值 单位断态重复峰值电压 V DRM 500V通态平均电流 IT（AV） 2A通态（不重复）浪涌电流 ITSM 20A控制极平均功率PC（AV） 0.2W贮存温度 T-40~110℃
单向可控硅BT152X-600R
信息内容：品牌：国产型号：BT152X-600R控制方式：单向极数：三极封装材料：塑料封装封装外形：TO-220关断速度：普通散热功能：带散热片频率特性：低频功率特性：小功率额定正向平均电流：20（A） 控制极触发电流：20-35（mA） 反向重复峰值电压：600-800（V） 标准单向可控硅 欢迎来电查询. QUICK REFERENCEPart Number IT(RMS)(A) VDRM/ VRRM(V) IGT(Max.)(mA) Package PackingBT152- 500C 500BT152X- 600C 20 600 15 TO-220AB 50 / Tube-200 / Bulk
