MOS管FDM2509NZ
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：FAIRCHILD/仙童 | 型号：FDM2509NZ | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：TR/激励、驱动 |
| 封装外形：CHIP/小型片状 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：20（V） |
| 夹断电压：12（V） | 跨导：240（μS） | 极间电容：12000（pF） |
| 低频噪声系数：100（dB） | 漏极电流：18（mA） | 耗散功率：22（mW） |
应用于锂电池
General Description
This dual N-Channel MOSFET has been designed
using Fairchild Semiconductor’s advanced Power
Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v on
special MicroFET lead frame with all the drains on one
side of the package.
Applications
• Li-Ion Battery Pack
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管FDB6030BL
信息内容：品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FDB6030BL种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：L/功率放大封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：N-FET硅N沟道开启电压：30v（V） 夹断电压：50（V） 跨导：10（μS） 极间电容：1160（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：100（mA） 耗散功率：500（mW） General DescriptionThis N-Channel Logic Level MOSFET has been designedspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers.These MOSFETs feature faster switching and lower gatecharge than other MOSFETs with comparable RDS(on)specifications resulting in DC/DC power supply designswith higher overall efficiency."
N沟道MOS管FDB8880
信息内容：品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FDB8880-NL种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：D/变频换流封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：N-FET硅N沟道开启电压：30（V） 夹断电压：50（V） 跨导：10（μS） 极间电容：1240（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：500（mA） 耗散功率：550（mW） FeaturesrDS(ON) = 14.5m? , VGS= 4.5V, ID = 40ArDS(ON) = 11.6m? , VGS= 10V, ID = 40AHigh performance trench technology for extremely lowrDS(ON)Low gate chargeHigh power and current handling capabilityApplicationsDC/DC converters应用程序直流/直流转换器
