N沟道MOS管FDB8880
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：FAIRCHILD/仙童 | 型号：FDB8880-NL | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：D/变频换流 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：50（V） | 跨导：10（μS） | 极间电容：1240（pF） |
| 低频噪声系数：10（dB） | 漏极电流：500（mA） | 耗散功率：550（mW） |
Features
rDS(ON)
= 14.5m? , VGS
= 4.5V, ID = 40A
rDS(ON)
= 11.6m? , VGS
= 10V, ID = 40A
High performance trench technology for extremely low
rDS(ON)
Low gate charge
High power and current handling capability
Applications
DC/DC converters
应用程序
直流/直流转换器
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 邹荣财
- 电话：86 0755 28580524
- 传真：86 0755 28580524
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MOS管FDD6670AL
信息内容：品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FDD6670AL-NL种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：DC/直流封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：N-FET硅N沟道开启电压：30（V） 夹断电压：50（V） 跨导：10（μS） 极间电容：3845（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：100（mA） 耗散功率：100（mW） 原装现货FDD6670AL30V N-Channel PowerTrench? MOSFETGeneral DescriptionThis N-Channel MOSFET has been designedspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized forlow gate charge, low RDS( ON) and fast switching speed. Applications• DC/DC converter • Motor Drives"
双N沟道数码管FDC6301N
信息内容：品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FDC6301N种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：HI-IMP/高输入阻抗封装外形：SMD(SO)/表面封装开启电压：25（V） 夹断电压：8（V） 跨导：0.25（μS） 极间电容：9.3（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：22（mA） 耗散功率：9（mW） hese dual N-Channel logic level enhancement mode fieldeffect transistors are produced using Fairchild 's proprietary,high cell density, DMOS technology. This very high densityprocess is especially tailored to minimize on-state resistance.This device has been designed especially for low voltageapplications as a replacement for digital transistors. Since biasresistors are not required, these N-Channel FET's can replaceseveral digital transistors, with a variety of bias resistors."
