MOS管FDD6670AL
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：FAIRCHILD/仙童 | 型号：FDD6670AL-NL | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：DC/直流 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：50（V） | 跨导：10（μS） | 极间电容：3845（pF） |
| 低频噪声系数：10（dB） | 漏极电流：100（mA） | 耗散功率：100（mW） |
原装现货FDD6670AL
30V N-Channel PowerTrench? MOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low RDS( ON) and fast switching speed.
Applications
• DC/DC converter
• Motor Drives
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 邹荣财
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双N沟道数码管FDC6301N
信息内容：品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FDC6301N种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：HI-IMP/高输入阻抗封装外形：SMD(SO)/表面封装开启电压：25（V） 夹断电压：8（V） 跨导：0.25（μS） 极间电容：9.3（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：22（mA） 耗散功率：9（mW） hese dual N-Channel logic level enhancement mode fieldeffect transistors are produced using Fairchild 's proprietary,high cell density, DMOS technology. This very high densityprocess is especially tailored to minimize on-state resistance.This device has been designed especially for low voltageapplications as a replacement for digital transistors. Since biasresistors are not required, these N-Channel FET's can replaceseveral digital transistors, with a variety of bias resistors."
MOS管电源芯片FAN5109MX
信息内容：品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FAN5109MX种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：D/变频换流封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GE-N-FET锗N沟道开启电压：15（V） 夹断电压：30（V） 跨导：10（μS） 极间电容：1120（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：30（mA） 耗散功率：715（mW） Features■ Drives N-channel High-Side and Low-Side MOSFETsin a Synchronous Buck Con?guration■ Enhanced Upgrade to FAN5009■ Direct Interface to FAN5019B/FAN5182 and othercompatible PWM Controllers■ 12V High-Side and 12V Low-Side Drive■ Internal Adaptive “Shoot-Through” Protection■ Fast Rise and Fall times■ Switching Frequency above 500kHz■ OD input for Output Disable – allows for synchroni-zation with PWM Controller■ SOIC-8 Package应用■多相电源/复合调节的微处理器功率■高电流/高频率的直流/直流转换器■高功率模块电源
