N沟道场效应管STP75NF75
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：SGS法意电子 | 型号：STP75NF75 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：DC/直流 |
| 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：75（V） |
| 夹断电压：40（V） | 跨导：20（μS） | 极间电容：3700（pF） |
| 低频噪声系数：20（dB） | 漏极电流：50（mA） | 耗散功率：10（mW） |
产品应用：这一系列的MOSFET，极大的减小了输入电容和栅极充电电流，
因此它们非常适合用于通信和计算机的高性能。
高频率独立DC－DC转换器的初级变换摸块之中；
同时，它们也可以用于任何低栅极驱动的电路中，
如：电动自行车充电电路
Description
This Power MOSFET series realized with
STMicroelectronics unique STripFET™ process
has specifically been designed to minimize input
capacitance and gate charge. It is therefore
suitable as primary switch in advanced high-
efficiency, high-frequency isolated DC-DC
converters for Telecom and Computer
applications. It is also intended for any
applications with low gate drive requirements.dzsc/18/7929/18792983.jpg
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管AO3402
信息内容：品牌：AO型号：AO3402种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：S/开关封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：N-FET硅N沟道开启电压：30（V） 夹断电压：12（V） 低频跨导：20（μS） 极间电容：390（pF） 低频噪声系数：15（dB） 漏极电流：20（mA） 耗散功率：20（mW） General DescriptionThe AO3402 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 2.5V. Thisdevice is suitable for use as a load switch or in PWMapplications. AO3402L( Green Product ) is offered ina lead-free package.FeaturesVDS (V) = 30VID = 4 ARDS(ON)< 55m? (VGS = 10V)RDS(ON) < 70m? (VGS = 4.5V)RDS(ON) < 110m? (VGS = 2.5V)
MOS管SI4884DY
信息内容：品牌：Vishay/威世通型号：SI4884DY种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：N-FET硅N沟道开启电压：5（V） 夹断电压：6（V） 低频跨导：20（μS） 极间电容：650（pF） 低频噪声系数：50（dB） 漏极电流：30（mA） 耗散功率：20（mW） Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:12A; On-Resistance, Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC; Drain-Source Breakdown Voltage:30V General Description Features Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted Symbol Parameter Si4884DY UnitsVDSS Drain-Source Voltage 30 VVGSS Gate-Source Voltage ±20 VID Drain Current - Continuous ...
