MOS管AO3402
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：AO | 型号：AO3402 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：S/开关 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：12（V） | 低频跨导：20（μS） | 极间电容：390（pF） |
| 低频噪声系数：15（dB） | 漏极电流：20（mA） | 耗散功率：20（mW） |
General Description
The AO3402 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. AO3402L( Green Product ) is offered in
a lead-free package.
Features
VDS (V) = 30V
ID = 4 A
RDS(ON)
< 55m? (VGS = 10V)
RDS(ON) < 70m? (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 110m? (VGS = 2.5V)
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管SI4884DY
信息内容：品牌：Vishay/威世通型号：SI4884DY种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：N-FET硅N沟道开启电压：5（V） 夹断电压：6（V） 低频跨导：20（μS） 极间电容：650（pF） 低频噪声系数：50（dB） 漏极电流：30（mA） 耗散功率：20（mW） Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:12A; On-Resistance, Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC; Drain-Source Breakdown Voltage:30V General Description Features Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted Symbol Parameter Si4884DY UnitsVDSS Drain-Source Voltage 30 VVGSS Gate-Source Voltage ±20 VID Drain Current - Continuous ...
500V-MOS管IRF840
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRF840种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：TR/激励、驱动材料：N-FET硅N沟道开启电压：20（V） 夹断电压：40（V） 跨导：250（μS） 极间电容：1300（pF） 低频噪声系数：20（dB） 漏极电流：125（mA） 耗散功率：80（mW） Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) - International Rectifier原装无铅大量现货，货源稳定快速开关
