MOS管SUD23N06
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：Vishay/威世通 | 型号：SUD23N06 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：DC/直流 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：20（V） |
| 夹断电压：60（V） | 跨导：400（μS） | 极间电容：670（pF） |
| 低频噪声系数：20（dB） | 漏极电流：20（mA） | 耗散功率：50（mW） |
FEATURES
• Halogen-free
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 % Rg and UIS Tested
APPLICATIONS
• DC/DC Converters
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管IRFPE50
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRFPE50种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：DC/直流封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：20（V） 夹断电压：400（V） 跨导：20（μS） 极间电容：3100（pF） 低频噪声系数：200（dB） 漏极电流：200（mA） 耗散功率：1900（mW） 原装大量现货型号材料电压电流功率频率沟道电N-FET900 V6,7 A190 W-1,6 Ohm
N沟道场效应管STP75NF75
信息内容：品牌：SGS法意电子型号：STP75NF75种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：DC/直流封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：75（V） 夹断电压：40（V） 跨导：20（μS） 极间电容：3700（pF） 低频噪声系数：20（dB） 漏极电流：50（mA） 耗散功率：10（mW） 产品应用：这一系列的MOSFET，极大的减小了输入电容和栅极充电电流，因此它们非常适合用于通信和计算机的高性能。高频率独立DC－DC转换器的初级变换摸块之中；同时，它们也可以用于任何低栅极驱动的电路中，如：电动自行车充电电路DescriptionThis Power MOSFET series realized withSTMicroelectronics unique STripFET™ processhas specifically been designed to minimize inputcapacitance and gate charge. It is thereforesuitable as primary switch in advanced high-efficiency, high-frequency isolated DC-DCconverters for Telecom and Computerapplications. It is also intended for anyapplications with low gate drive requirements.dzsc/18/7929/18792983.jpg
