场效应管IRLR8715C
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRLR8715C | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：45（μS） | 极间电容：45（pF） |
| 低频噪声系数：45（dB） | 漏极电流：45（mA） | 耗散功率：45（mW） |
原装现货供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C供应场效应管IRLR8715C
蔡楚杰
公司信息未核实
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 蔡楚杰
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
场效应管LR014N
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：LR014N种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：NF/音频(低频)封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：HEMT高电子迁移率开启电压：30（V） 夹断电压：30（V） 跨导：45（μS） 极间电容：45（pF） 低频噪声系数：45（dB） 漏极电流：45（mA） 耗散功率：45（mW） 原装现货供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N
场效应管IRLS4030-7P(图)
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRLS4030-7P种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：MOS-FBM/全桥组件封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GE-N-FET锗N沟道开启电压：100（V） 夹断电压：100（V） 跨导：24（μS） 极间电容：5000（pF） 低频噪声系数：250（dB） 漏极电流：500（mA） 耗散功率：500（mW） 场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P"
