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场效应管LR014N

价 格: 1.00

品牌:IR/国际整流器型号:LR014N种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:NF/音频(低频)
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:HEMT高电子迁移率开启电压:30(V)
夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF)
低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW)

原装现货供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N供应场效应管LR014N

蔡楚杰
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场效应管IRLS4030-7P(图)

信息内容:

品牌:IR/国际整流器型号:IRLS4030-7P种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-FBM/全桥组件封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道开启电压:100(V) 夹断电压:100(V) 跨导:24(μS) 极间电容:5000(pF) 低频噪声系数:250(dB) 漏极电流:500(mA) 耗散功率:500(mW) 场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P"

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场效应管K3055

信息内容:

品牌:NEC/日本电气型号:K3055种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MW/微波封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:4(mA) 耗散功率:545(mW) K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055"

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