品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRLS4030-7P | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:100(V) |
夹断电压:100(V) | 跨导:24(μS) | 极间电容:5000(pF) |
低频噪声系数:250(dB) | 漏极电流:500(mA) | 耗散功率:500(mW) |
场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P场效应管IRLS4030-7P
"品牌:NEC/日本电气型号:K3055种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MW/微波封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:45(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:4(mA) 耗散功率:545(mW) K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055供应场效应管K3055"
品牌:IR/国际整流器型号:LR8113种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:MOS-TPBM/三相桥封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GaAS-FET砷化镓开启电压:30(V) 夹断电压:30(V) 跨导:30(μS) 极间电容:45(pF) 低频噪声系数:45(dB) 漏极电流:45(mA) 耗散功率:45(mW) 原装现货供应场效应管LR8113供应场效应管LR8113供应场效应管LR8113供应场效应管LR8113供应场效应管LR8113供应场效应管LR8113供应场效应管LR8113供应场效应管LR8113