温传感器REF02CPZ
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：AD/亚德诺 | 型号：REF02CPZ | 种类：温度 |
| 材料：金属 | 材料物理性质：导体 | 材料晶体结构：多晶 |
| 制作工艺：集成 | 输出信号：数字型 | 防护等级：20 |
| 线性度：30（%F.S.） | 迟滞：20（%F.S.） | 重复性：20（%F.S.） |
| 灵敏度：12 | 漂移：100 | 分辨率：500 |
FEATURES
5 V output, ±0.3% max
Temperature voltage output, 1.96 mV/°C
Adjustment range, ±3% min
Excellent temperature stability, 8.5 ppm/°C max
Low noise, 15 µV p-p max
Low supply current, 1.4 mA max
Wide input voltage range, 7 V to 40 V
High load-driving capability, 10 mA
No external components
Short-circuit proof
GENERAL DESCRIPTION
The REF02 precision voltage reference provides a stable 5 V
output that can be adjusted over a ±6% range with minimal
effect on temperature stability. Single-supply operation over an
input voltage range of 7 V to 40 V, low current drain of 1 mA,
and excellent temperature stability are achieved with an
improved band gap design. Low cost, low noise, and low power
make the REF02 an excellent choice whenever a stable voltage
reference is required. Applications include DACs and ADCs,
portable instrumentation, and digital voltmeters. The versatility
of the REF02 is enhanced by its use as a monolithic temperature
transducer. For new designs, refer to ADR02.
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管SUD23N06
信息内容：品牌：Vishay/威世通型号：SUD23N06种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：DC/直流封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：N-FET硅N沟道开启电压：20（V） 夹断电压：60（V） 跨导：400（μS） 极间电容：670（pF） 低频噪声系数：20（dB） 漏极电流：20（mA） 耗散功率：50（mW） FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONS • DC/DC Converters"
MOS管IRFPE50
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRFPE50种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：DC/直流封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：20（V） 夹断电压：400（V） 跨导：20（μS） 极间电容：3100（pF） 低频噪声系数：200（dB） 漏极电流：200（mA） 耗散功率：1900（mW） 原装大量现货型号材料电压电流功率频率沟道电N-FET900 V6,7 A190 W-1,6 Ohm
