电机驱动芯片FDFS2P102
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：FAIRCHILD/仙童 | 型号：FDFS2P102 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：D/变频换流 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：P-FET硅P沟道 | 开启电压：20（V） |
| 夹断电压：40（V） | 跨导：10（μS） | 极间电容：275（pF） |
| 低频噪声系数：1（dB） | 漏极电流：10（mA） | 耗散功率：10（mW） |
P沟道晶体管和肖特基二极管的集成
General Description
The FDFS2P102 combines the exceptional performance of
Fairchild's high cell density
MOSFET with a very low forward
voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package.
This device is designed specifically as a single package solution
for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate
charge MOSFET with very low on-state resistance. The
independently connected Schottky diode allows its use in a variety
of DC/DC converter topologies.
Applications
• DC/DC converters
• Load Switch
• Motor Drives
•直流/直流转换器
•负荷开关
•电机驱动器
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 邹荣财
- 电话：86 0755 28580524
- 传真：86 0755 28580524
- 手机：13728709180
- QQ ：
MOS管BSO315C
信息内容：品牌：INFINEON/英飞凌型号：BSO315C种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：L/功率放大封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GE-P-FET锗P沟道开启电压：20（V） 夹断电压：30（V） 跨导：20（μS） 极间电容：250（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：20（mA） 耗散功率：40（mW） 原装现货Features• Dual N- and P -Channel• Enhancement mode• Logic Level• Avalanche rated• dv/dt rated
原装IR/MOS管IRLML6402TR
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRLML6402TR种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：S/开关封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：P-FET硅P沟道开启电压：20（V） 夹断电压：40（V） 跨导：350（μS） 极间电容：633（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：22（mA） 耗散功率：80（mW） 原装现货Ultra Low On-ResistanceP-Channel MOSFET SOT-23 FootprintLow Profile (<1.1mm)Available in Tape and ReelFast Switching 内阻0.065欧
