原装IR/MOS管IRLML6402TR
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRLML6402TR | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：S/开关 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：P-FET硅P沟道 | 开启电压：20（V） |
| 夹断电压：40（V） | 跨导：350（μS） | 极间电容：633（pF） |
| 低频噪声系数：10（dB） | 漏极电流：22（mA） | 耗散功率：80（mW） |
原装现货Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
SOT-23 Footprint
Low Profile (<1.1mm)
Available in Tape and Reel
Fast Switching
内阻0.065欧
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管AO4409
信息内容：品牌：AO型号：AO4409种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型开启电压：15（V） 夹断电压：30（V） 跨导：20（μS） 极间电容：5200（pF） 低频噪声系数：100（dB） 漏极电流：20（mA） 耗散功率：10（mW） General DescriptionThe AO4409 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), and ultra-low low gatecharge. This device is suitable for use as a loadswitch or in PWM applications. FeaturesVDS (V) = -30VID = -15 AMax RDS(ON)< 7.5m? (VGS = -10V)Max RDS(ON) < 12m? (VGS = -4.5V)"
330电感12*12
信息内容：应用范围：保护种类：电流互感器品牌：国产型号：330UH电感封装形式：贴片电感绕线形式：多层平绕式导磁体性质：铁氧体磁芯磁芯形状：罐形工作频率：高频安装方式：立式密封骨架材料：陶瓷品质因数Q：100电感量：200允许误差：1感抗XL：200（Ω） 额定电流：50（mA） 分布电容：1000（F） 标称电压：30（V） 原装现货LM1117MPX-ADJNS原装11PBSOT-223LM1117MPX-1.8NS原装11PBSOT-223LM1117MPX-2.5NS原装11PBSOT-223LM1117MPX-3.3NS原装11PBSOT-223LM1117MPX-5.0NS原装11PBSOT-223LM340MPX-5.0NS11PBSOT-223LM340MP-5.0NS11PBSOT-223LM317EMPXNS原装11PBSOT-223LM317EMPNS原装11PBSOT-223
