MOS管BSO315C
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：INFINEON/英飞凌 | 型号：BSO315C | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：L/功率放大 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GE-P-FET锗P沟道 | 开启电压：20（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：20（μS） | 极间电容：250（pF） |
| 低频噪声系数：10（dB） | 漏极电流：20（mA） | 耗散功率：40（mW） |
原装现货Features
• Dual N- and P -Channel
• Enhancement mode
• Logic Level
• Avalanche rated
• dv/dt rated
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 邹荣财
- 电话：86 0755 28580524
- 传真：86 0755 28580524
- 手机：13728709180
- QQ ：
原装IR/MOS管IRLML6402TR
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRLML6402TR种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：S/开关封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：P-FET硅P沟道开启电压：20（V） 夹断电压：40（V） 跨导：350（μS） 极间电容：633（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：22（mA） 耗散功率：80（mW） 原装现货Ultra Low On-ResistanceP-Channel MOSFET SOT-23 FootprintLow Profile (<1.1mm)Available in Tape and ReelFast Switching 内阻0.065欧
场效应管AO4409
信息内容：品牌：AO型号：AO4409种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型开启电压：15（V） 夹断电压：30（V） 跨导：20（μS） 极间电容：5200（pF） 低频噪声系数：100（dB） 漏极电流：20（mA） 耗散功率：10（mW） General DescriptionThe AO4409 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), and ultra-low low gatecharge. This device is suitable for use as a loadswitch or in PWM applications. FeaturesVDS (V) = -30VID = -15 AMax RDS(ON)< 7.5m? (VGS = -10V)Max RDS(ON) < 12m? (VGS = -4.5V)"
