MOS管IRF4905
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRF4905 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：D-G双栅四极 |
| 封装外形：CER-DIP/陶瓷直插 | 材料：GE-P-FET锗P沟道 | 开启电压：12（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：20（μS） | 极间电容：1600（pF） |
| 低频噪声系数：120（dB） | 漏极电流：100（mA） | 耗散功率：500（mW） |
原装大量现货，可查询www.jicic.com
PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.02ohm,Id=-74A)
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
l Fully Avalanche Rated
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- 所属城市：广东 深圳
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MOS管IRFL014N
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRFL014N种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：MOS-HBM/半桥组件封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：P-FET硅P沟道开启电压：60（V） 夹断电压：15（V） 跨导：20（μS） 极间电容：300（pF） 低频噪声系数：35（dB） 漏极电流：16（mA） 耗散功率：20（mW） 大量现货请查询www.jicic.com1Surface Mount2Avaibable in Tape& Reel3Dynamic dv/dt Rating4Ease of Paralleling5Simple Drive Requirements1Surface Mount2Avaibable in Tape& Reel3Dynamic dv/dt Rating4Ease of Paralleling5Simple Drive Requirements1Surface Mount2Avaibable in Tape& Reel3Dynamic dv/dt Rating4Ease of Paralleling5Simple Drive Requirements "
MOS管IRFR9024
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRFR9024N种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：MOS-FBM/全桥组件封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：GE-P-FET锗P沟道开启电压：60（V） 夹断电压：20（V） 跨导：120（μS） 极间电容：570（pF） 低频噪声系数：20（dB） 漏极电流：88（mA） 耗散功率：25（mW） 原装无铅现货PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-11A)"
