品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRFR9024N | 种类:绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-FBM/全桥组件 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-P-FET锗P沟道 | 开启电压:60(V) |
夹断电压:20(V) | 跨导:120(μS) | 极间电容:570(pF) |
低频噪声系数:20(dB) | 漏极电流:88(mA) | 耗散功率:25(mW) |
原装无铅现货PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.175ohm,Id=-11A)
"品牌:IR/国际整流器型号:IRLMS6802TRPBF种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:P沟道导电方式:增强型用途:LMP-C/阻抗变换封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-P-FET锗P沟道原装现货Ultra Low On-ResistanceP-Channel MOSFETSurface MountAvailable in Tape & Reel"
品牌:IR/国际整流器型号:IRLMS6702TRPBF种类:绝缘栅(MOSFET)沟道类型:P沟道导电方式:增强型用途:D/变频换流封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-P-FET锗P沟道原装现货PC823PC925PC927PC357TLP181TLP281-4TLP2805-4TLP127-1TLP2801-4PC929