MOS管AP9435GM
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：APEC/富鼎 | 型号：AP9435GM | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：P沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：DC/直流 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：P-FET硅P沟道 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：50（V） | 跨导：110（μS） | 极间电容：830（pF） |
| 低频噪声系数：10（dB） | 漏极电流：20（mA） | 耗散功率：125（mW） |
原装现货▼ ▼ ▼ ▼ Low Gate Charge
▼ ▼ ▼ ▼ Fast Switching Characteristic
▼ ▼ ▼ ▼ Single Drive Requirement
▼ ▼ ▼ ▼ RoHS Compliant
Description
G
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, ultra low on-resistance and
cost-effectiveness.
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 邹荣财
- 电话：86 0755 28580524
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MOS管IRF4905
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRF4905种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：D-G双栅四极封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材料：GE-P-FET锗P沟道开启电压：12（V） 夹断电压：30（V） 跨导：20（μS） 极间电容：1600（pF） 低频噪声系数：120（dB） 漏极电流：100（mA） 耗散功率：500（mW） 原装大量现货，可查询www.jicic.com PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.02ohm,Id=-74A) l Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperaturel Fast Switchingl P-Channell Fully Avalanche Ratedl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperaturel Fast Switchingl P-Channell Fully Avalanche Rated
MOS管IRFL014N
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRFL014N种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：MOS-HBM/半桥组件封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：P-FET硅P沟道开启电压：60（V） 夹断电压：15（V） 跨导：20（μS） 极间电容：300（pF） 低频噪声系数：35（dB） 漏极电流：16（mA） 耗散功率：20（mW） 大量现货请查询www.jicic.com1Surface Mount2Avaibable in Tape& Reel3Dynamic dv/dt Rating4Ease of Paralleling5Simple Drive Requirements1Surface Mount2Avaibable in Tape& Reel3Dynamic dv/dt Rating4Ease of Paralleling5Simple Drive Requirements1Surface Mount2Avaibable in Tape& Reel3Dynamic dv/dt Rating4Ease of Paralleling5Simple Drive Requirements "
