MOS管TSF5N60M/TSFPN60M
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：Truesemi | 型号：TSF5N60M | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：DC/直流 |
| 封装外形：P-DIT/塑料双列直插 | 材料：N-FET硅N沟道 | 开启电压：4.5（V） |
| 夹断电压：8（V） | 跨导：4.5（μS） | 极间电容：100（pF） |
| 低频噪声系数：100（dB） | 漏极电流：4.5（mA） | 耗散功率：200（mW） |
| BVDSS | ID(DC) | PD | Rds(on) |
| 600 | 4.5 | 33 | 2.5 |
应用:适配器，开关电源，LCD显示器
代用:FQPF5N60C(SSS4N60B),2SK2750(2SK3567),,STP4NK60ZFP
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 邹荣财
- 电话：86 0755 28580524
- 传真：86 0755 28580524
- 手机：13728709180
- QQ ：
MOS管AP9435GM
信息内容：品牌：APEC/富鼎型号：AP9435GM种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：DC/直流封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：P-FET硅P沟道开启电压：30（V） 夹断电压：50（V） 跨导：110（μS） 极间电容：830（pF） 低频噪声系数：10（dB） 漏极电流：20（mA） 耗散功率：125（mW） 原装现货▼ ▼ ▼ ▼ Low Gate Charge▼ ▼ ▼ ▼ Fast Switching Characteristic▼ ▼ ▼ ▼ Single Drive Requirement▼ ▼ ▼ ▼ RoHS CompliantDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance andcost-effectiveness.
MOS管IRF4905
信息内容：品牌：IR/国际整流器型号：IRF4905种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：D-G双栅四极封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材料：GE-P-FET锗P沟道开启电压：12（V） 夹断电压：30（V） 跨导：20（μS） 极间电容：1600（pF） 低频噪声系数：120（dB） 漏极电流：100（mA） 耗散功率：500（mW） 原装大量现货，可查询www.jicic.com PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.02ohm,Id=-74A) l Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperaturel Fast Switchingl P-Channell Fully Avalanche Ratedl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175°C Operating Temperaturel Fast Switchingl P-Channell Fully Avalanche Rated
