可控硅BTB20-800C
| 价 格： | 面议 |
| 型号：BTB20-800C | 电流：20（A） | 电压：800（V） |
| 触发电流：25mA（A） | 结温：125（℃） | 封装形式：TO-220AB |
| ?产品类别：20A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 |
| ?工业型号：BTB20-800C |
| ?封装形式：TO-220AB |
| ?电流/IT(RMS)：≥20 A |
| ?电压/VDRM：≥800V |
| ?触发电流/IGT： |
| IGTⅠ(T2+G+)：≤25 mA（象限） |
| IGTⅡ(T2+G-)：≤25 mA（第二象限） |
| IGTⅢ(T2-G-)：≤25 mA（第三象限） |
| IGTⅣ(T2-G+)：≤50 mA（第四象限） |
| ?触发电压/VGT：＜1.3 V |
| ?门极散耗功率：1 W |
| ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) |
| ?器件品牌：KKG-HAOHAI |
| ?产品说明：提供性能、参数相同之代替品 |
| ?包装规格：管装/盒装/每盒1Kpcs/每箱8Kpcs |
| ?库存状况：大量现货供应。 |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 吴菊华
- 电话：755-27832499
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可控硅TYN1006
信息内容：型号：TYN1006电流：6（A） 电压：600（V） 触发电流：15mA（A） 结温：125（℃） 封装形式：TO-220AB ?产品类别：6A 单向可控硅-SCRs ?工业型号：TYN1006 （意法ST型号） ?封装外形：TO-220AB （220半塑封） ?管脚排列：K-G-A (K-Cathode；G-Gate；A-Anode) ?电流/IT(RMS)：≥6 A ( ITSM: ≤73 A ) ?电压/VDRM：≥1000V ?触发电流/IGT：≤15 mA （毫安） ?触发电压/VGT： 1.5 V ?门极散耗功率：0.2W (Average gate power dissipation) ?工作温度/Tj：-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌：KKG ?包装规格：管装，每管50PCS，每盒1000 Pcs ?供应状况：接受订货 可长期供应
场效应管IRF530-IRF840
信息内容：品牌：-型号：IRF530-IRF840种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型开启电压：-（V） 夹断电压：-（V） 跨导：-（μS） 极间电容：-（pF） 低频噪声系数：-（dB） 漏极电流：-（mA） 耗散功率：-（mW） 公司型號工業型號公司型號工業型號H2N70022N7002H06N60EFQP6N60CH2N70002N7000H06N60FFQPF6N60CH01N45A1N45AH06N60UFQB6N60H01N451N45H9926SFDW9926AH01N60I1N60H9926CSFDS9926AH01N60S1N60SH6968SNTQD6968H01N60SJMTD1N60EH6968CSSi6968DQH02N60IFQU2N60HIRF840IRF840H02N60SFQU2N60SHIRF840FIRF840FH02N60SIFQU2N60HIRF630IRF630H02N60SJFQD2N60HIRF630FIRF630FH02N60EFQP2N60CH35N03JVNP35N03H02N60FFQPF2N60CH40N03JNTD40N03RHSI2302NAF2302NH40N03ESTP40N03LH04N60EFQP4N60H40N03FSTP40N03LH04N60FFQPF4N60H50N03EPHP50N03LTHIRF830IRF830H50N03JPHD50N03LTHIRF830FIRF830FH50N03UPHB50N03LTH9435SFDS9435AH70N03JNTD70N03RH9435CSSTM9435H70N03URF1S70N03SMHIRF730IRF730H70N03ERFP70N03HIRF730FIRF730F "
