可控硅TYN1006
| 价 格： | 面议 |
| 型号：TYN1006 | 电流：6（A） | 电压：600（V） |
| 触发电流：15mA（A） | 结温：125（℃） | 封装形式：TO-220AB |
| ?产品类别：6A 单向可控硅-SCRs |
| ?工业型号：TYN1006 （意法ST型号） |
| ?封装外形：TO-220AB （220半塑封） |
| ?管脚排列：K-G-A (K-Cathode；G-Gate；A-Anode) |
| ?电流/IT(RMS)：≥6 A ( ITSM: ≤73 A ) |
| ?电压/VDRM：≥1000V |
| ?触发电流/IGT：≤15 mA （毫安） |
| ?触发电压/VGT： 1.5 V |
| ?门极散耗功率：0.2W (Average gate power dissipation) |
| ?工作温度/Tj：-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃) |
| ?器件品牌：KKG |
| ?包装规格：管装，每管50PCS，每盒1000 Pcs |
| ?供应状况：接受订货 可长期供应 |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管IRF530-IRF840
信息内容：品牌：-型号：IRF530-IRF840种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型开启电压：-（V） 夹断电压：-（V） 跨导：-（μS） 极间电容：-（pF） 低频噪声系数：-（dB） 漏极电流：-（mA） 耗散功率：-（mW） 公司型號工業型號公司型號工業型號H2N70022N7002H06N60EFQP6N60CH2N70002N7000H06N60FFQPF6N60CH01N45A1N45AH06N60UFQB6N60H01N451N45H9926SFDW9926AH01N60I1N60H9926CSFDS9926AH01N60S1N60SH6968SNTQD6968H01N60SJMTD1N60EH6968CSSi6968DQH02N60IFQU2N60HIRF840IRF840H02N60SFQU2N60SHIRF840FIRF840FH02N60SIFQU2N60HIRF630IRF630H02N60SJFQD2N60HIRF630FIRF630FH02N60EFQP2N60CH35N03JVNP35N03H02N60FFQPF2N60CH40N03JNTD40N03RHSI2302NAF2302NH40N03ESTP40N03LH04N60EFQP4N60H40N03FSTP40N03LH04N60FFQPF4N60H50N03EPHP50N03LTHIRF830IRF830H50N03JPHD50N03LTHIRF830FIRF830FH50N03UPHB50N03LTH9435SFDS9435AH70N03JNTD70N03RH9435CSSTM9435H70N03URF1S70N03SMHIRF730IRF730H70N03ERFP70N03HIRF730FIRF730F "
12A单向可控硅BT151-800R
信息内容：型号：BT151-800R电流：12（A） 电压：≥800（V） 触发电流：2-15 mA（A） 结温：110（℃） 封装形式：TO-220AB 封装控制方式：单向 ?产品类别：单向可控硅-SCRs，Thyristors ?产品性能：12A 塑封单向 ?工业型号：BT151-800R （飞利浦型号） ?封装外形：TO-220AB （220半塑封） ?管脚排列：K-A-G （K-Cathode；A-Anode；G-Gate） ?电流/IT(RMS)：≤12 A（ ITSM: ≤100 A ；IT(AV): ≤7.5 A ） ?电压/VDRM：≥800V ?触发电流/IGT：Gate trigger current（VD=12V；IT=0.1A） 2～15 mA（中间值～值）（毫安） ?触发电压/VGT： 0.6～1.5 V ?门极散耗功率：0.5W ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌：KKG（Haohai Electronics） ?包装规格：管装，每管50PCS，每盒1KPCS ?库存状况：少量库存，接受订货。可长期稳定供应
