场效应管IRF530-IRF840
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：- | 型号：IRF530-IRF840 | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 开启电压：-（V） |
| 夹断电压：-（V） | 跨导：-（μS） | 极间电容：-（pF） |
| 低频噪声系数：-（dB） | 漏极电流：-（mA） | 耗散功率：-（mW） |
公司型號 | 工業型號 | 公司型號 | 工業型號 |
H2N7002 | 2N7002 | H06N60E | FQP6N60C |
H2N7000 | 2N7000 | H06N60F | FQPF6N60C |
H01N45A | 1N45A | H06N60U | FQB6N60 |
H01N45 | 1N45 | H9926S | FDW9926A |
H01N60I | 1N60 | H9926CS | FDS9926A |
H01N60S | 1N60S | H6968S | NTQD6968 |
H01N60SJ | MTD1N60E | H6968CS | Si6968DQ |
H02N60I | FQU2N60 | HIRF840 | IRF840 |
H02N60S | FQU2N60S | HIRF840F | IRF840F |
H02N60SI | FQU2N60 | HIRF630 | IRF630 |
H02N60SJ | FQD2N60 | HIRF630F | IRF630F |
H02N60E | FQP2N60C | H35N03J | VNP35N03 |
H02N60F | FQPF2N60C | H40N03J | NTD40N03R |
HSI2302N | AF2302N | H40N03E | STP40N03L |
H04N60E | FQP4N60 | H40N03F | STP40N03L |
H04N60F | FQPF4N60 | H50N03E | PHP50N03LT |
HIRF830 | IRF830 | H50N03J | PHD50N03LT |
HIRF830F | IRF830F | H50N03U | PHB50N03LT |
H9435S | FDS9435A | H70N03J | NTD70N03R |
H9435CS | STM9435 | H70N03U | RF1S70N03SM |
HIRF730 | IRF730 | H70N03E | RFP70N03 |
HIRF730F | IRF730F |
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- 联系人： 吴菊华
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12A单向可控硅BT151-800R
信息内容：型号：BT151-800R电流：12（A） 电压：≥800（V） 触发电流：2-15 mA（A） 结温：110（℃） 封装形式：TO-220AB 封装控制方式：单向 ?产品类别：单向可控硅-SCRs，Thyristors ?产品性能：12A 塑封单向 ?工业型号：BT151-800R （飞利浦型号） ?封装外形：TO-220AB （220半塑封） ?管脚排列：K-A-G （K-Cathode；A-Anode；G-Gate） ?电流/IT(RMS)：≤12 A（ ITSM: ≤100 A ；IT(AV): ≤7.5 A ） ?电压/VDRM：≥800V ?触发电流/IGT：Gate trigger current（VD=12V；IT=0.1A） 2～15 mA（中间值～值）（毫安） ?触发电压/VGT： 0.6～1.5 V ?门极散耗功率：0.5W ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌：KKG（Haohai Electronics） ?包装规格：管装，每管50PCS，每盒1KPCS ?库存状况：少量库存，接受订货。可长期稳定供应
