高压可控硅
| 价 格： | 面议 |
| 型号：MCR25N | 电流：25（A） | 电压：1000-1200（V） |
| 触发电流：30mA（A） | 结温：125（℃） | 封装形式：TO-220AB |
MCR25N
公司自主品牌产品
产品性能:高压-塑封-单向可控硅
产品型号:MCR25N
主要参数:25A,≥1000V,IGT≤30mA
部份规格超过1200V
出厂批号:KKG0630
封装形式:TO-220AB
包装规格:管装,每管50只,每盒1000只
环保区分:无铅品种,提供SGS环保认证
可代替其它品牌的产品型号:
BT152-600R,BT152-800R,SCP20C60
MCR12M,MCR12N,MCR16,MCR16N
TYN812,TYN1012,TYN625
TYN825,TYN1025,TYN1225
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 吴菊华
- 电话：755-27832499
- 传真：755-27832499
- 手机：
- QQ ：
可控硅BTB20-800C
信息内容：型号：BTB20-800C电流：20（A） 电压：800（V） 触发电流：25mA（A） 结温：125（℃） 封装形式：TO-220AB ?产品类别：20A 四象限 非绝缘型 双向可控硅 ?工业型号：BTB20-800C ?封装形式：TO-220AB ?电流/IT(RMS)：≥20 A ?电压/VDRM：≥800V ?触发电流/IGT： IGTⅠ(T2+G+)：≤25 mA（象限） IGTⅡ(T2+G-)：≤25 mA（第二象限） IGTⅢ(T2-G-)：≤25 mA（第三象限） IGTⅣ(T2-G+)：≤50 mA（第四象限） ?触发电压/VGT：＜1.3 V ?门极散耗功率：1 W ?工作温度/Tj：-40~+110°C (储存温度 -40~+150℃) ?器件品牌：KKG-HAOHAI ?产品说明：提供性能、参数相同之代替品 ?包装规格：管装/盒装/每盒1Kpcs/每箱8Kpcs ?库存状况：大量现货供应。
可控硅TYN1006
信息内容：型号：TYN1006电流：6（A） 电压：600（V） 触发电流：15mA（A） 结温：125（℃） 封装形式：TO-220AB ?产品类别：6A 单向可控硅-SCRs ?工业型号：TYN1006 （意法ST型号） ?封装外形：TO-220AB （220半塑封） ?管脚排列：K-G-A (K-Cathode；G-Gate；A-Anode) ?电流/IT(RMS)：≥6 A ( ITSM: ≤73 A ) ?电压/VDRM：≥1000V ?触发电流/IGT：≤15 mA （毫安） ?触发电压/VGT： 1.5 V ?门极散耗功率：0.2W (Average gate power dissipation) ?工作温度/Tj：-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃) ?器件品牌：KKG ?包装规格：管装，每管50PCS，每盒1000 Pcs ?供应状况：接受订货 可长期供应
