国产三极管 S8550D(图)
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：国产 | 型号：S8550D | 应用范围：功率 |
| 材料：锗 | 极性：NPN型 | 击穿电压VCBO：40（V） |
| 集电极允许电流ICM：0.8（A） | 截止频率fT：150（MHz） | 结构：扩散型 |
| 封装形式：TO-92 | 封装材料：金属封装 |
大量现货,欢迎来电查询!
MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
IC Collector Current -Continuous -800 mA
TJ, Tstg Junction and Storage Temperature -55-150 ℃
- 所属城市：广东 深圳
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深爱si三极管 13001(图)
信息内容：品牌：国产型号：13001应用范围：功率材料：硅极性：NPN型击穿电压VCBO：600（V） 集电极允许电流ICM：0.2（A） 集电极耗散功率PCM：0.75（W） 截止频率fT：8（MHz） 结构：平面型封装形式：TO-92封装材料：塑料封装 厂家特价直销.欢迎来电咨询！ FEATURESPower dissipationPCM: 0.75 W (Tamb=25℃)Collector current ICM: 0.2 A Collector-base voltageV(BR)CBO: 600 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
三极管 2SB772(图)
信息内容：品牌：NEC/日本电气型号：2SB772应用范围：功率材料：锗(Ge)极性：NPN型击穿电压VCBO：-40（V） 集电极允许电流ICM：-3（A） 集电极耗散功率PCM：-1.4（W） 截止频率fT：-90（MHz） 结构：扩散型封装形式：TO-126封装材料：金属封装 产品广泛适用于应急灯 电动玩具 装形式：TO-126管脚排列：E C B 极限参数(额定值 Ta=25℃) 参数名称 符号参数值单位集电极-基极电压BVCBO-40V集电极-发射极电压BVCEO-30V发射极-基极电压BVEBO-5V集电极电流ICM-3A耗散功率PCM-1.4W贮存结温Tj、Tstg-55～＋150℃电参数特性（Ta=25℃）参数名称符号测试条件参数值单位最小值典型值值集电极-基极电压BVCBOIC= 100μA，IE= 0-40 V集电极-发射极电压BVCEOIC= 1mA，IB= 0-30 V发射极-基极电压BVEBOIE= 100μA，IC= 0-5 V集电极-基极漏电流ICBOVCB= 30V，IE= 0 -0.1μA集电极-发射极漏电流ICEOVCE= 20V，IB= 0 -0.5μA发射极-基极漏电流IEBOVEB= 5V，IC= 0 -0.1μA直流放大倍数HFEVCE= 5V，IB= 1mA-100 -500 VCE= 2V，IB= 20mA-60 -400 VCE= 2V，IB= 1A-100 饱合压降VCESATIC= 2A，IB=200mA -0.5 正向压降VBESATIC= 2A，IB=...
