深爱si三极管 13001(图)
| 价 格： | 面议 |
| 品牌：国产 | 型号：13001 | 应用范围：功率 |
| 材料：硅 | 极性：NPN型 | 击穿电压VCBO：600（V） |
| 集电极允许电流ICM：0.2（A） | 集电极耗散功率PCM：0.75（W） | 截止频率fT：8（MHz） |
| 结构：平面型 | 封装形式：TO-92 | 封装材料：塑料封装 |
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FEATURES
Power dissipation
PCM: 0.75 W (Tamb=25℃)
Collector current ICM: 0.2 A Collector-base voltage
V(BR)CBO: 600 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
- 所属城市：广东 深圳
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三极管 2SB772(图)
信息内容：品牌：NEC/日本电气型号：2SB772应用范围：功率材料：锗(Ge)极性：NPN型击穿电压VCBO：-40（V） 集电极允许电流ICM：-3（A） 集电极耗散功率PCM：-1.4（W） 截止频率fT：-90（MHz） 结构：扩散型封装形式：TO-126封装材料：金属封装 产品广泛适用于应急灯 电动玩具 装形式：TO-126管脚排列：E C B 极限参数(额定值 Ta=25℃) 参数名称 符号参数值单位集电极-基极电压BVCBO-40V集电极-发射极电压BVCEO-30V发射极-基极电压BVEBO-5V集电极电流ICM-3A耗散功率PCM-1.4W贮存结温Tj、Tstg-55～＋150℃电参数特性（Ta=25℃）参数名称符号测试条件参数值单位最小值典型值值集电极-基极电压BVCBOIC= 100μA，IE= 0-40 V集电极-发射极电压BVCEOIC= 1mA，IB= 0-30 V发射极-基极电压BVEBOIE= 100μA，IC= 0-5 V集电极-基极漏电流ICBOVCB= 30V，IE= 0 -0.1μA集电极-发射极漏电流ICEOVCE= 20V，IB= 0 -0.5μA发射极-基极漏电流IEBOVEB= 5V，IC= 0 -0.1μA直流放大倍数HFEVCE= 5V，IB= 1mA-100 -500 VCE= 2V，IB= 20mA-60 -400 VCE= 2V，IB= 1A-100 饱合压降VCESATIC= 2A，IB=200mA -0.5 正向压降VBESATIC= 2A，IB=...
100-6可控硅(图)
信息内容：品牌：WG型号：MCR100-6控制方式：单向极数：三极封装材料：塑料封装封装外形：圆壳形关断速度：普通散热功能：不带散热片频率特性：低频功率特性：小功率额定正向平均电流：1（A） 控制极触发电流：10-30（mA） 稳定工作电流：10（A） 反向重复峰值电压：600（V） 家用电器控制电路,变频电路,调光,调温,调速电路.欢迎各厂商及供应商来电洽谈. MCR100- 6 SeriesMAIN FEATURES Symbol Value UnitIT(RMS) 1AVDRM / VRRM 400 to 600VIGT 10 to 120μA
