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三极管 2SB772(图)

价 格: 面议

品牌:NEC/日本电气型号:2SB772应用范围:功率
材料:锗(Ge)极性:NPN型击穿电压VCBO:-40(V)
集电极允许电流ICM:-3(A) 集电极耗散功率PCM:-1.4(W) 截止频率fT:-90(MHz)
结构:扩散型封装形式:TO-126封装材料:金属封装

产品广泛适用于应急灯 电动玩具

 

 

装形式:TO-126

管脚排列:E C B 

 

极限参数(额定值 Ta=25℃)                                                 

参数名称 

符号

参数值

单位

集电极-基极电压

BVCBO

-40

V

集电极-发射极电压

BVCEO

-30

V

发射极-基极电压

BVEBO

-5

V

集电极电流

ICM

-3

A

耗散功率

PCM

-1.4

W

贮存结温

TjTstg

-55~+150

电参数特性(Ta=25

参数名称

符号

测试条件

参数值

单位

最小值

典型值

集电极-基极电压

BVCBO

IC= 100μAIE= 0

-40

 

 

V

集电极-发射极电压

BVCEO

IC= 1mAIB= 0

-30

 

 

V

发射极-基极电压

BVEBO

IE= 100μAIC= 0

-5

 

 

V

集电极-基极漏电流

ICBO

VCB= 30VIE= 0

 

 

-0.1

μA

集电极-发射极漏电流

ICEO

VCE= 20VIB= 0

 

 

-0.5

μA

发射极-基极漏电流

IEBO

VEB= 5VIC= 0

 

 

-0.1

μA

直流放大倍数

HFE

VCE= 5VIB= 1mA

-100

 

-500

 

VCE= 2VIB= 20mA

-60

 

-400

 

VCE= 2VIB= 1A

-100

 

 

 

饱合压降

VCESAT

IC= 2AIB=200mA

 

 

-0.5

 

正向压降

VBESAT

IC= 2AIB=200mA

 

 

-2

V

特征频率

fT

VCE= 5VIB= 100mA

 

-90

 

MHZ

HFE(1)标准分档

  

R

Q

P

E

  

60-120

100-200

160-320

200-400

 

                   

 

深圳市威国科技发展有限公司
公司信息未核实
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  • 联系人: 莫建群
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