

| 价 格: | 面议 | 
| 品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SB772 | 应用范围:功率 | 
| 材料:锗(Ge) | 极性:NPN型 | 击穿电压VCBO:-40(V) | 
| 集电极允许电流ICM:-3(A) | 集电极耗散功率PCM:-1.4(W) | 截止频率fT:-90(MHz) | 
| 结构:扩散型 | 封装形式:TO-126 | 封装材料:金属封装 | 
产品广泛适用于应急灯 电动玩具
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| 参数名称 | 符号 | 参数值 | 单位 | 
| 集电极-基极电压 | BVCBO | -40 | V | 
| 集电极-发射极电压 | BVCEO | -30 | V | 
| 发射极-基极电压 | BVEBO | -5 | V | 
| 集电极电流 | ICM | -3 | A | 
| 耗散功率 | PCM | -1.4 | W | 
| 贮存结温 | Tj、Tstg | -55~+150 | ℃ | 
电参数特性(Ta=25℃)
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 参数值 | 单位 | ||
| 最小值 | 典型值 | 值 | ||||
| 集电极-基极电压 | BVCBO | IC= 100μA,IE= 0 | -40 | 
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 | V | 
| 集电极-发射极电压 | BVCEO | IC= 1mA,IB= 0 | -30 | 
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 | V | 
| 发射极-基极电压 | BVEBO | IE= 100μA,IC= 0 | -5 | 
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 | V | 
| 集电极-基极漏电流 | ICBO | VCB= 30V,IE= 0 | 
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 | -0.1 | μA | 
| 集电极-发射极漏电流 | ICEO | VCE= 20V,IB= 0 | 
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 | -0.5 | μA | 
| 发射极-基极漏电流 | IEBO | VEB= 5V,IC= 0 | 
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 | -0.1 | μA | 
| 直流放大倍数 | HFE | VCE= 5V,IB= 1mA | -100 | 
 | -500 | 
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| VCE= 2V,IB= 20mA | -60 | 
 | -400 | 
 | ||
| VCE= 2V,IB= 1A | -100 | 
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 | ||
| 饱合压降 | VCESAT | IC= 2A,IB=200mA | 
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 | -0.5 | 
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| 正向压降 | VBESAT | IC= 2A,IB=200mA | 
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 | -2 | V | 
| 特征频率 | fT | VCE= 5V,IB= 100mA | 
 | -90 | 
 | MHZ | 
HFE(1)标准分档
| 分 档 | R | Q | P | E | 
| 范 围 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 | 
品牌:WG型号:MCR100-6控制方式:单向极数:三极封装材料:塑料封装封装外形:圆壳形关断速度:普通散热功能:不带散热片频率特性:低频功率特性:小功率额定正向平均电流:1(A) 控制极触发电流:10-30(mA) 稳定工作电流:10(A) 反向重复峰值电压:600(V) 家用电器控制电路,变频电路,调光,调温,调速电路.欢迎各厂商及供应商来电洽谈. MCR100- 6 SeriesMAIN FEATURES Symbol Value UnitIT(RMS) 1AVDRM / VRRM 400 to 600VIGT 10 to 120μA
品牌:wg型号:CT502控制方式:单向极数:三极封装材料:塑料封装封装外形:TO-92M关断速度:普通散热功能:不带散热片频率特性:低频功率特性:小功率额定正向平均电流:2(A) 控制极触发电流:10-30(mA) 稳定工作电流:2(A) 反向重复峰值电压:600(V) 广泛用于报警器,充电器,验钞机等设备. 额定值(Ta=25℃)特性符号.额定值单位断态重复峰值电压VDRM-500V通态平均电流IT(AV)2A通态(不重复)浪涌电流ITSM-20A控制极平均功率PC(AV)0.2W贮存温度T-40~110℃