原装IXYS牌IXFT30N60P
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IXY美国电报半导体 | |
| 型号： | VDSS=600V/ID=30A/RDS=0.24?/Ciss=4000Pf/Single/TO-268 |
| 品牌/商标 | IXY美国电报半导体 | 型号/规格 | VDSS=600V/ID=30A/RDS=0.24?/Ciss=4000Pf/Single/TO-268 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 |
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供应原装英飞凌IGBT单管IKW75N60T
信息内容：原理定义： IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形...
功率模块整流桥FF100R12KS4
信息内容：华星（香港）股份公司是亚洲最全面的功率模块现货分销商代理商，长年备有现货，面对广大客户直销以下模块：一.欧美品牌：英飞凌(Infineon)优派克(EUPEC)艾塞思(IXYS)西门康(Semikron)西门子(Siemens)仙童(Fairchild)国际整流器(IR)摩托罗拉(Motorola)(POWER)泰科国际(TYCO)二.日本品牌：三菱(Mitsubishi)三社(SanRex)三垦(SanKen)富士(Fuji)东芝(Toshiba)日立(Hitachi)英达(NIEC)产品应用于工业焊机、高频大功率工业电源加热设备、大功能逆变电源、并网电源、电车功率驱动电源、地铁动力控制等领域，由于型号繁多，如需订购请来电向销售代表查询！
