场效应管 SE8205 锂电IC
| 价 格： | 300.00 | |
| 品牌： | SINO-IC | |
| 型号： | SE8205 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE8205 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 2.5（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 6（mA） |
| 耗散功率 | 1.5（mW） |
光宇睿芯微电子四大比较优势：1）性能、参数优异，可以和国外同类产品媲美；2）交货周期短，交货及时；3）价格适中；4）研发能力突出，可根据客户的需求研发出性能独特且满足客户需求的产品。”
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MOS场效应管 SE8810 N沟 TSSOP8 SINO-IC
信息内容：上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)提供产品如下：（电话：021-33933508）产品类别 型号 封装mosfet8810TSSOP8mosfet9945SOP8mosfet4826SOP8
场效应管SE8810A 双N沟道 MOS管
信息内容：SHANGHAI Feb 2008MICROELECTRONICSCO., LTD. SE8810A Revision:ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FeaturesFor a single mosfet●VDSS= 20 V●RDS(ON)< 20mW? @ VGS=4.5V @Ids=7ARDS(ON)< 25mW? @ VGS=2.5V @Ids=4A Applications ●Battery protection●Load switch●Power management Construction ●Silicon epitaxial planerAbsolute Maximum RatingsParameterSymbolRatingUnitsDrain-Source VoltageVDS20VGate-Source VoltageVGS±12VDrain Current (Note 1)ContinuousPulsedID7AIDM28Drain-Source Diode Forward CurrentIS1.7AMaximum Power Dissipation PD1.5WOperating Junction Temperature RangeTJ-55 to 150°CStorageTemperature RangeTSTG 更多型号欢迎访问www.sino-ic.cn,应用方案可参考www.sino-ic.com.或来电咨询:021-33932402-8040主要类目:1、TVS/ESD保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三极管
